[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080099167.1 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN115398624A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 长谷川雅俊 | 申请（专利权）人： | 超极存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L25/10;H01L25/11;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够削减线圈的配置面积的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)层叠有三个以上的多个芯片(10、11、12……)，多个芯片(10、11、12……)分别具有：基板(20、21、……)；发送线圈(30、31、……)；接收线圈(40、41、……)，其设置在基板(20、21、……)的面内方向上与发送线圈(30、31、……)不重叠的区域，发送线圈(30、31、……)配置在层叠方向D上与另一个芯片(10、11、12……)的接收线圈(40、41、……)邻接且重叠的区域，接收线圈(40、41、……)构成为能够与配置在相同基板(20、21、……)的发送线圈(30、31、……)之间进行数据传输。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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