[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202080099167.1 | 申请日: | 2020-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN115398624A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 长谷川雅俊 | 申请(专利权)人: | 超极存储器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L25/10;H01L25/11;H01L27/00 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;刘继富 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其层叠有三个以上的多个芯片,
所述多个芯片分别具有:
基板;
发送线圈;以及
接收线圈,其设置在所述基板的面内方向上与所述发送线圈不重叠的区域,
所述发送线圈配置在层叠方向上与另一个所述芯片的接收线圈邻接且重叠的区域,
所述接收线圈构成为能够与配置在相同基板的所述发送线圈之间进行数据传输。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述接收线圈以与所述发送线圈成对的方式设置两组以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述发送线圈设置在相对于在所述基板的规定位置沿着面内方向延伸的基准轴而与所述接收线圈相对的位置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述基板具有作为厚度方向的一个面的表面和作为厚度方向的另一个面的背面,
所述表面与另一个所述芯片的所述基板的所述表面邻接地层叠,
所述背面与又一个所述芯片的所述基板的所述背面邻接地层叠。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述发送线圈设置在相对于在所述基板的规定位置沿着面内方向延伸且正交的两个基准轴的交点而与所述接收线圈相对的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
所述基板具有作为厚度方向的一个面的表面和作为厚度方向的另一个面的背面,
所述表面与另一个所述芯片的所述基板的所述背面邻接地层叠,
所述背面与又一个所述芯片的所述基板的所述表面邻接地层叠。
7.根据权利要求4或5所述的半导体装置,其中,
所述发送线圈在层叠方向上隔着一个以上的另一个所述芯片而与又一个所述芯片的所述接收线圈邻接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置,其中,
所述芯片具有:
发送电路,其与所述发送线圈连接,向所述发送线圈传输发送数据;
接收电路,其与所述接收线圈连接,从所述接收线圈接收接收数据;
发送侧驱动器,其切换所述发送线圈和所述发送电路的连接;以及
接收侧接收器,其切换所述接收线圈和所述接收电路的连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,
所述发送侧驱动器基于沿着层叠方向的所述发送数据的发送方向,切换所述发送线圈和所述发送电路的连接,
所述接收侧接收器根据所述发送侧驱动器的切换,切换所述接收线圈和所述接收电路的连接。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置,其中,
所述发送线圈的匝数、线宽、线间宽度、使用的布线中的至少一者与所述接收线圈不同。
11.一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置为权利要求1至10中的任一项所述的半导体装置,所述半导体装置在以晶圆状态层叠之后进行单片化。
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