[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080012569.3 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113412539A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 高木佑辅;寺山谅;滨谷康;池田靖 | 申请（专利权）人： | 日立安斯泰莫株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈力奕;宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的作为半导体装置的功率半导体模块包括半导体元件(155)、以及与半导体元件(155)相对地配置并经由焊料(162)连接到半导体元件(155)的引线框(318)。引线框(318)具有包含与半导体元件(155)相对的面的顶面(331)、以及与顶面(331)构成规定的角度并且连接到顶面(331)的周缘部(333)的侧面(334)。引线框(318)的顶面包含与焊料(162)相接的焊料面(332)、以及与焊料面(332)相比焊料(162)更难浸润的阻焊面。该阻焊面包围焊料面(332)的周围来形成。由此，当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时，能适当地控制焊料浸润扩散的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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