[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件；以及

第一引线框，该第一引线框与所述半导体元件相对地进行配置，并经由第一焊料与所述半导体元件相连接，

所述第一引线框具有：顶面，该顶面包含与所述半导体元件相对的面；以及侧面，该侧面与所述顶面构成规定的角度，并与所述顶面的周缘部相连，

所述第一引线框的所述顶面包含：与所述第一焊料相接的焊料面；以及与所述焊料面相比所述第一焊料更难浸润的阻焊面，

所述阻焊面包围所述焊料面的周围来形成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还包括经由第二焊料与所述半导体元件相连接的第二引线框，

所述半导体元件具有彼此平行的一对面，在所述一对面中一侧的面上设有第一电极面，另一侧的面上设有第二电极面，

所述第一引线框与所述第一电极面相对地进行配置，并经由所述第一焊料与所述半导体元件的所述第一电极面相连接，

所述第二引线框与所述第二电极面相对地进行配置，并经由所述第二焊料与所述半导体元件的所述第二电极面相连接。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一引线框的所述侧面经由以规定的R值形成的曲面与所述顶面的周缘部相连，

所述阻焊面形成为包含所述曲面。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述阻焊面上形成有氧化膜。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述氧化膜的厚度为1nm以上。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述焊料面上形成有对表面进行了去除加工的加工痕迹。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述去除加工是激光加工。