[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202080012569.3 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN113412539A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 高木佑辅;寺山谅;滨谷康;池田靖 申请(专利权)人: 日立安斯泰莫株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈力奕;宋俊寅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

本发明的作为半导体装置的功率半导体模块包括半导体元件(155)、以及与半导体元件(155)相对地配置并经由焊料(162)连接到半导体元件(155)的引线框(318)。引线框(318)具有包含与半导体元件(155)相对的面的顶面(331)、以及与顶面(331)构成规定的角度并且连接到顶面(331)的周缘部(333)的侧面(334)。引线框(318)的顶面包含与焊料(162)相接的焊料面(332)、以及与焊料面(332)相比焊料(162)更难浸润的阻焊面。该阻焊面包围焊料面(332)的周围来形成。由此,当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时,能适当地控制焊料浸润扩散的区域。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在用于车载用逆变器等的功率模块中,为了提高散热性能,开发了从两面冷却半导体元件的双面冷却功率模块。例如,在专利文献1中,公开了一种半导体装置,所述半导体装置包括:第一金属部,该第一金属部具有第一面和位于该第一面的相反侧的第二面;第二金属部,该第二金属部具有与所述第一金属部的所述第二面相对的第三面以及位于该第三面的相反侧的第四面,并且该第二金属部包含突出部,该突出部具有从所述第三面突出并且与所述第一金属部的所述第一面几乎齐平或从该第一面突出的第五面;半导体芯片,该半导体芯片设置在所述第一金属部的所述第二面与所述第二金属部的所述第三面之间;以及树脂,该树脂设置在所述半导体芯片的周围,以使所述第一金属部的所述第一面和所述第二金属部的所述第四面露出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2016-146457号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1所记载的半导体装置中,半导体芯片的两面用焊料分别与金属板接合。连接到半导体芯片的一侧的面的金属板具有接合部朝向半导体芯片突出的凸形状。在这种结构中,当将半导体芯片和金属板进行焊料接合时,焊料容易浸润在金属板上呈凸形状的部分的侧面。因此,难以适当地控制焊料浸润扩散的区域,从而导致质量和生产性的降低。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的半导体装置包括:半导体元件;以及第一引线框,该第一引线框与所述半导体元件相对地进行配置,并经由第一焊料与所述半导体元件相连接,所述第一引线框具有:顶面,该顶面包含与所述半导体元件相对的面;以及侧面,该侧面与所述顶面构成规定的角度,并与所述顶面的周缘部相连,所述第一引线框的所述顶面包含:与所述第一焊料相接的焊料面;以及与所述焊料面相比所述第一焊料更难浸润的阻焊面,所述阻焊面包围所述焊料面的周围来形成。

发明效果

根据本发明,当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时,能适当地控制焊料浸润扩散的区域。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的功率半导体模块的外观立体图。

图2是示出本发明的一个实施方式所涉及的功率半导体模块的内部结构的立体图。

图3是本发明的一个实施方式所涉及的功率半导体模块的展开图。

图4是示出本发明的一个实施方式所涉及的功率半导体模块的内部结构的俯视图。

图5是功率半导体模块的剖视图和周缘部附近的放大图。

具体实施方式

下面参考附图,说明本发明的一个实施方式的半导体装置的应用例即功率半导体模块。

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