[发明专利]半导体存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011552732.3 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678359A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 金廷修;卢一泓;白国斌;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 付珍;王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开半导体存储器件及其制作方法，涉及半导体制造技术领域，以形成侧壁垂直的电容器轮廓。该半导体存储器件包括衬底及电容器。衬底具有埋栅晶体管，电容器与埋栅晶体管的源区或漏区电连接。电容器的轮廓利用刻蚀速率从下向上递变的薄膜刻蚀形成。本发明提供的半导体存储器件及其制作方法用于半导体器件、电子设备制作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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