[发明专利]半导体封装结构制作方法和半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 202011178889.4 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112289689A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 何正鸿;钟磊 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31;H01L23/49
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 徐丽
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请实施例提供了一种半导体封装结构制作方法和半导体封装结构,涉及半导体封装技术领域。该方法包括:提供一基板,在基板的一侧设置管脚连接点;对基板上导通管脚连接点所在的一侧进行塑封,形成第一塑封体;在第一塑封体上导通管脚连接点对应的位置形成凹槽;在凹槽中设置导电柱,导电柱的一端与导通管脚连接点连接,另一端延伸出第一塑封体;将芯片设置在基板远离导通管脚连接点的一侧,并在芯片所在的一侧对基板进行塑封,形成第二塑封体;在第一塑封体、第二塑封体的表面和基板的侧面进行金属溅射形成金属屏蔽层,金属屏蔽层与导电柱远离导通管脚连接点的一端连接,通过上述设置,能够获取一种金属屏蔽性能稳定的半导体封装结构。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 制作方法
【主权项】:
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