[发明专利]半导体封装结构制作方法和半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，在所述基板的一侧设置管脚连接点，所述管脚连接点包括导通管脚连接点；

对所述基板上所述导通管脚连接点所在的一侧进行塑封，形成第一塑封体，所述第一塑封体用于形成容置所述导通管脚连接点的空间；

在所述第一塑封体上所述导通管脚连接点对应的位置进行激光开槽形成凹槽，使所述导通管脚连接点露出；

在所述凹槽中设置导电柱，所述导电柱的一端与所述导通管脚连接点连接，另一端延伸出所述第一塑封体；

将芯片设置在所述基板远离所述导通管脚连接点的一侧，并在所述芯片所在的一侧对所述基板进行塑封，形成第二塑封体，所述第二塑封体用于形成容置所述芯片的空间；

在所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面进行金属溅射，使所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层与所述导电柱远离所述导通管脚连接点的一端连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管脚连接点还包括植球管脚连接点；

在所述对所述基板上所述导通管脚连接点所在的一侧进行塑封的步骤之前，所述方法还包括：

将锡球放置在所述植球管脚连接点，所述锡球与所述植球管脚连接点连接，所述第一塑封体还用于形成容置所述锡球的空间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面进行金属溅射的步骤之前，所述方法还包括：

在所述第一塑封体上所述植球管脚连接点对应的位置进行激光开槽，使所述锡球露出；

对露出的所述锡球进行激光植球，使所述锡球的一端与所述植球管脚连接点连接，另一端延伸出所述第一塑封体；

在所述锡球上覆盖保护膜。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面进行金属溅射的步骤之后，所述方法还包括：

将所述金属屏蔽层上所述锡球对应的部分除去；

在所述第一塑封体上所述植球管脚连接点对应的位置进行激光开槽，使所述锡球露出；

对露出的所述锡球进行激光植球，使所述锡球的一端与所述植球管脚连接点连接，另一端延伸出所述第一塑封体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽中设置导电柱的步骤，包括：

将导电胶填充至所述凹槽中并进行烘烤，使所述导电柱的一端与所述导通管脚连接点接触，另一端延伸出所述第一塑封体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽为T型槽；

在所述将导电胶填充至所述凹槽中并进行烘烤的步骤之后，所述在所述凹槽中设置导电柱的步骤，还包括：

对所述第一塑封体进行研磨，使所述导电柱延伸出所述T型槽。

7.一种半导体封装结构，其特征在于，包括基板、管脚连接点、第一塑封体、第二塑封体、凹槽、导电柱、芯片和金属屏蔽层，所述管脚连接点包括导通管脚连接点；

所述管脚连接点和所述第一塑封体设置在所述基板的同一侧，所述第一塑封体用于形成容置所述管脚连接点的空间；

所述凹槽设置在所述第一塑封体上所述导通管脚连接点对应的位置；

所述导电柱设置在所述凹槽内，所述导电柱的一端与所述导通管脚连接点连接，另一端延伸出所述第一塑封体；

所述芯片和所述第二塑封体设置在所述基板远离所述导电柱的一侧，所述第二塑封体用于形成容置所述芯片的空间；

所述金属屏蔽层设置在所述第一塑封体、第二塑封体的表面和基板的侧面，所述金属屏蔽层与所述导电柱远离所述导通管脚连接点的一端连接。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括锡球，所述管脚连接点还包括植球管脚连接点；

所述锡球的一端设置在所述植球管脚连接点上，另一端延伸出所述第一塑封体。