[发明专利]半导体封装结构制作方法和半导体封装结构

说明书

本申请实施例提供了一种半导体封装结构制作方法和半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域。该方法包括：提供一基板，在基板的一侧设置管脚连接点；对基板上导通管脚连接点所在的一侧进行塑封，形成第一塑封体；在第一塑封体上导通管脚连接点对应的位置形成凹槽；在凹槽中设置导电柱，导电柱的一端与导通管脚连接点连接，另一端延伸出第一塑封体；将芯片设置在基板远离导通管脚连接点的一侧，并在芯片所在的一侧对基板进行塑封，形成第二塑封体；在第一塑封体、第二塑封体的表面和基板的侧面进行金属溅射形成金属屏蔽层，金属屏蔽层与导电柱远离导通管脚连接点的一端连接，通过上述设置，能够获取一种金属屏蔽性能稳定的半导体封装结构。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种半导体封装结构制作方法和半导体封装结构。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，SIP(System in Package，系统级封装)模组结构已经广泛应用于半导体领域，其将不同的功能芯片进行封装后，实现多个芯片对应的功能。而在封装结构应用于通信领域的高频信号环境时，为了保证各芯片功能的正常的使用，需要构建电磁屏蔽结构。在现有技术中，通常将接地线布置在基板切割道的边缘，以便在进行切割得到单颗产品后进行金属溅射相关操作，使得溅射形成的金属屏蔽层与切割露出的接地线连通，实现金属屏蔽的效果。而由于在进行切割的过程中，会出现切割偏移等问题，这造成了金属屏蔽性能的下降。

有鉴于此，如何提供一种金属屏蔽性能较强的半导体封装结构，是本领域技术人员需要解决的。

发明内容

本申请提供了一种半导体封装结构制作方法和半导体封装结构。

本申请的实施例可以这样实现：

第一方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构制作方法，包括：

提供一基板，在所述基板的一侧设置管脚连接点，所述管脚连接点包括导通管脚连接点；

对所述基板上所述导通管脚连接点所在的一侧进行塑封，形成第一塑封体，所述第一塑封体用于形成容置所述导通管脚连接点的空间；

在所述第一塑封体上所述导通管脚连接点对应的位置进行激光开槽形成凹槽，使所述导通管脚连接点露出；

在所述凹槽中设置导电柱，所述导电柱的一端与所述导通管脚连接点连接，另一端延伸出所述第一塑封体；

将芯片设置在所述基板远离所述导通管脚连接点的一侧，并在所述芯片所在的一侧对所述基板进行塑封，形成第二塑封体，所述第二塑封体用于形成容置所述芯片的空间；

在所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面进行金属溅射，使所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层与所述导电柱远离所述导通管脚连接点的一端连接。

在可选的实施方式中，所述管脚连接点还包括植球管脚连接点；

在所述对所述基板上所述导通管脚连接点所在的一侧进行塑封的步骤之前，所述方法还包括：

将锡球放置在所述植球管脚连接点，所述锡球与所述植球管脚连接点连接，所述第一塑封体还用于形成容置所述锡球的空间。

在可选的实施方式中，在所述第一塑封体、所述第二塑封体的表面和所述基板的侧面进行金属溅射的步骤之前，所述方法还包括：

在所述第一塑封体上所述植球管脚连接点对应的位置进行激光开槽，使所述锡球露出；

对露出的所述锡球进行激光植球，使所述锡球的一端与所述植球管脚连接点连接，另一端延伸出所述第一塑封体；

在所述锡球上覆盖保护膜。