[发明专利]垂直场效应晶体管半导体单元的优化在审
| 申请号： | 202011046828.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112614837A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 都桢湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/02;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在多个栅极栅格上实施垂直场效应晶体管(VFET)电路的VFET单元，包括：第一电路，包括至少一个VFET，并被提供在至少一个栅极栅格上；以及第二电路，包括至少一个VFET，并被提供在形成于第一电路的左侧或右侧的至少一个栅极栅格上，其中第一电路的VFET的栅极被配置为共享第二电路的VFET的栅极信号或源极/漏极信号，并且第一电路是(X‑1)接触式多晶间距(CPP)电路，其为(X‑1)CPP宽，是从X‑CPP电路转换而来的，X‑CPP电路为X‑CPP宽并且执行与(X‑1)CPP电路相同的逻辑功能，X是大于1的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 半导体 单元 优化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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