[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202011013111.8 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114256196A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;刘杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基底和位于基底上的介质层；导电插塞，所述导电插塞的第一部分位于所述基底内，所述导电插塞的第二部分位于所述介质层内；电容阵列，所述电容阵列至少环绕所述导电插塞的第二部分。本发明实施例有利于减小导电插塞产生的形变应力对功能元件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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