[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底和位于基底上的介质层；

导电插塞，所述导电插塞的第一部分位于所述基底内，所述导电插塞的第二部分位于所述介质层内；

电容阵列，所述电容阵列至少环绕所述导电插塞的第二部分。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括功能区和排除区，所述功能区位于所述排除区远离所述导电插塞的一侧，所述排除区和所述功能区内具有所述电容阵列，所述排除区的所述电容阵列环绕所述导电插塞的第二部分。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述排除区的所述基底内具有有源区，所述排除区的所述电容阵列与所述排除区的所述有源区电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述排除区的电容阵列与所述功能区的电容阵列的排列方式相同。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在所述排除区朝向所述功能区的方向上，所述排除区的所述电容阵列与所述功能区的所述电容阵列之间具有预设间距。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述功能区的所述电容阵列环绕所述导电插塞的第二部分，所述排除区的所述电容阵列的环绕形状与所述功能区的所述电容阵列的环绕形状不同。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离环结构，所述隔离环结构至少环绕所述导电插塞的第二部分，所述隔离环结构位于所述导电插塞与所述电容阵列之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容阵列由多个不连续的电容子阵列构成；还包括：隔离环结构，所述隔离环结构由多个不连续的隔离子环构成，所述隔离子环位于相邻所述电容子阵列之间，所述隔离环结构与所述电容阵列构成一环绕所述导电插塞的图案，且所述隔离环结构与所述电容阵列电隔离。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容阵列接地。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述导电插塞朝向所述电容阵列的方向上，所述导电插塞与所述电容阵列之间的间距为0.05μm～50μm。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述导电插塞的第二部分的顶部表面低于或齐平于所述电容阵列的顶部表面。