[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010955528.X | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN114171495A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括至少两个电极层，各所述电极层相互平行且异层设置；相邻的电极层之间具有重叠区域，相邻的电极层之间设置有介电层，位于所述重叠区域的所述介电层内设置有气隙。本发明通过在介电层内与重叠区域对应的部分设置气隙，由于气隙的介电常数小于介电层的介电常数，相应地，会降低具有重叠区域的两个电极层之间的寄生电容的电容值，进而减小半导体结构的信号延迟，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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