[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括至少两个电极层，各所述电极层相互平行且异层设置；

相邻的电极层之间具有重叠区域，相邻的电极层之间设置有介电层，位于所述重叠区域的所述介电层内设置有气隙。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层包括至少一个环形侧墙以及覆盖所述环形侧墙的填充层；所述填充层中位于每个所述环形侧墙内的部分以及位于相邻的环形侧墙之间的部分设置有气隙。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述环形侧墙为长条形环，每个所述长条形环沿第一方向延伸，且多个所述长条形环沿第二方向间隔排布，形成矩形图案。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述环形侧墙为圆形环，多个所述圆形环的中心线与所述电极层垂直；

多个所述圆形环呈阵列状排布。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述环形侧墙包括数个沿第一方向延伸的第一长条形环和数个沿第二方向延伸的第二长条形环；

数个所述第一长条形环沿第二方向间隔排布成L形图案，数个所述第二长条形环沿第一方向间隔排布成第一矩形图案，且所述第一矩形图案位于所述L形图案所围成的区间内，所述L形图案和所述第一矩形图案形成第二矩形图案。

6.根据权利要求3-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，沿第二方向，所述环形侧墙的宽度从相邻的两个所述电极层中一个指向另一个的方向逐渐减小或增大。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极层与所述介电层之间设置阻障层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述电极层包括同层且间隔设置的第一电极块和第二电极块，位于同一所述电极层中的所述第一电极块与所述第二电极块相互绝缘；

在相邻的两个所述电极层中：相邻且异层设置的两个所述第一电极块之间具有重叠区域；相邻且异层设置的所述第一电极块和所述第二电极块之间具有重叠区域，且两者之间通过接触窗电连接。

9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一电极层；

形成介电层，所述介电层覆盖所述电极层，所述介电层上具有气隙；

形成位于所述介电层上的另一个电极层，两个所述电极层相互平行，且两个所述电极层之间具有重叠区域，所述气隙设置在位于所述重叠区域的所述介电层内。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成介电层的步骤之前，还包括：在所述电极层上形成阻障层；

形成介电层的步骤包括：

在所述阻障层上形成多个环形侧墙，多个所述环形侧墙间隔设置在所述阻障层上；

在所述阻障层上形成填充层，所述填充层覆盖在各所述环形侧墙上，并延伸至所述环形侧墙内和相邻的环形侧墙之间；所述填充层中位于每个所述环形侧墙内的部分以及位于相邻的环形侧墙之间的部分设置有气隙。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述阻障层上形成多个环形侧墙的步骤包括：

在所述阻障层上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，形成掩膜图案，所述掩膜图案包括交替设置的多个遮挡区和多个开口区；

形成垫片层，所述垫片层覆盖各所述遮挡区、所述开口区的侧壁以及暴露在所述开口区内的所述阻障层；

去除覆盖在所述遮挡区的垫片层和位于阻障层上的垫片层，保留位于所述开口区的侧壁的垫片层，该垫片层形成所述环形侧墙；

去除所述光刻胶层。

12.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成介电层的步骤之前，还包括：在所述电极层上形成阻障层，在所述阻障层上形成缓冲层；

形成介电层的步骤包括：

在所述缓冲层上形成多个环形侧墙，多个所述环形侧墙间隔设置在所述缓冲层上；

在所述缓冲层上形成填充层，所述填充层覆盖在各所述环形侧墙上，并延伸至所述环形侧墙内和相邻的环形侧墙之间；所述填充层中位于每个所述环形侧墙内的部分以及位于相邻的环形侧墙之间的部分设置有气隙。