[发明专利]一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片在审
| 申请号： | 202010917353.3 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN114141750A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 裴俊值;周娜;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片，该半导体结构包括：半导体衬底及形成于半导体衬底上的介质层；嵌入介质层中的接触孔；以及覆盖于接触孔顶部侧壁处的修复氧化层，修复氧化层与接触孔下部的侧壁齐平。本公开通过在接触孔顶部开口处的侧壁上沉积修复氧化层，对修复氧化层进行侧墙刻蚀，直至剩余的修复氧化层与接触孔下部的侧壁齐平。修复氧化层对接触孔顶部开口处的侧壁具有修补作用，修补后接触孔的侧壁平坦，缩小了接触孔顶部开口的宽度，解决了过量刻蚀导致接触孔顶部开口变大的问题，避免因接触孔开口变大导致后续相邻接触孔内填充的金属之间短路的情况，提高了半导体器件的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 半导体器件 芯片 | ||
【主权项】：
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