[发明专利]一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片在审
| 申请号： | 202010917353.3 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN114141750A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 裴俊值;周娜;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 半导体器件 芯片 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底及形成于所述半导体衬底上的介质层；
嵌入所述介质层中的接触孔；
以及覆盖于所述接触孔顶部侧壁处的修复氧化层，所述修复氧化层与所述接触孔下部的侧壁齐平。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
所述介质层为层间介质层或金属间介质层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
所述修复氧化层采用台阶覆盖性低于预设阈值的氧化膜质。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
所述修复氧化层的上表面与所述介质层的上表面齐平。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
形成于所述接触孔内壁上的阻挡金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
形成于所述阻挡金属层上的金属互连层。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-6中任一权利要求所述的半导体结构。
8.一种芯片，其特征在于，包括权利要求7所述的半导体器件。
9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底及形成于所述半导体衬底上的介质层；
刻蚀所述介质层，以形成接触孔；
在所述接触孔顶部开口处的侧壁上沉积修复氧化层；
对所述修复氧化层进行侧墙刻蚀，直至剩余的修复氧化层与所述接触孔下部的侧壁齐平。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
采用物理气相沉积PVD工艺或等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺沉积所述修复氧化层。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述修复氧化层的上表面进行刻蚀，直至剩余的所述修复氧化层的上表面与所述介质层的上表面齐平。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述接触孔内壁上沉积阻挡金属层。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述介质层为层间介质层或金属间介质层。
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