[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010795026.5 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113363233A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 渡邉崇史 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/146;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够改善由虚设垫所导致的缺陷的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具有第1配线、与第1配线电连接的第1连接垫、及第1虚设垫。第2芯片具有第2配线、与第2配线电连接并且与第1连接垫接合的第2连接垫、及与第1虚设垫接合的第2虚设垫。第1虚设垫的厚度小于第1连接垫的厚度且第2虚设垫的厚度也小于第2连接垫的厚度，或者，第1虚设垫的厚度小于第1连接垫的厚度或第2虚设垫的厚度小于第2连接垫的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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