[发明专利]图形化掩膜的制作方法及三维NAND存储器的制作方法

摘要

本发明提供了一种图形化掩膜的制作方法及三维NAND存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：S1，在基体上顺序形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；S2，对第二掩膜层进行刻蚀，以形成贯穿至第一掩膜层的第一凹槽，第一凹槽具有沿远离第一掩膜层的方向上顺序连通的第二槽段和第一槽段，第二槽段贯穿至第一掩膜层，且第二槽段的任意横截面大于第一槽段的任意横截面；S3，以具有第一凹槽的第二掩膜层为掩膜对第一掩膜层进行刻蚀，以形成具有贯穿至基体的第二凹槽；S4，去除第二掩膜层，以得到图形化掩膜。上述制作方法减少了杂质在形成图形化掩膜的过程中的堆积，有效地避免了图形化掩膜中内壁的弯曲，保证了高深宽比的栅极隔槽的刻蚀。