[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010472945.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN113611736B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 黄世贤;刘昇旭;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为先形成一栅极结构于基底上，然后形成一间隙壁于栅极结构旁，形成凹槽于间隙壁旁，修整部分间隙壁，再形成一外延层于凹槽内。半导体元件又包含第一突起部设于外延层一侧以及第二突起部设于外延层另一侧，其中第一突起部包含一V形设于间隙壁下方且V形的夹角大于30度以及小于90度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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