专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶体管结构-CN201811609713.2有效
  • 刘昇旭;黄世贤;谈文毅 - 联芯集成电路制造(厦门)有限公司
  • 2018-12-27 - 2022-04-15 - H01L29/06
  • 本发明公开一种晶体管结构,包含一基底,一栅极结构设置于基底上,一个六角形沟槽设置于栅极结构的一侧的基底内,一第一外延层包含第一型掺质设置于六角形沟槽中并且接触六角形沟槽,一第二外延层包含第二型掺质设置于六角形沟槽中,其中第一外延层在第二外延层的外侧,第二外延层作为晶体管结构的一源极/漏极掺杂区,第一型掺质和第二型掺质为不同导电型态。
  • 晶体管结构
  • [发明专利]半导体晶体管及其制作方法-CN202010079601.1在审
  • 刘昇旭;黄世贤;谈文毅 - 联芯集成电路制造(厦门)有限公司
  • 2020-02-04 - 2021-08-06 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体晶体管及其制作方法,其中该半导体晶体管包含一基底,具有第一导电型,其中所述基底具有一主表面;一离子阱,具有一第二导电型,位于所述基底中;彼此相区隔的一源极区和一漏极区,设于所述离子阱中,其中所述源极区和所述漏极区具有所述第一导电型;一外延通道层,具有所述第一导电型,从所述基底的所述主表面长出,并且位于所述源极区和所述漏极区之间;一栅极,设于所述外延通道层上;以及一栅极介电层,位于所述栅极和所述外延通道层之间。
  • 半导体晶体管及其制作方法
  • [发明专利]适应性头灯-CN201910801350.0在审
  • 黄世贤 - 堤维西交通工业股份有限公司
  • 2019-08-28 - 2021-03-05 - F21S41/141
  • 一种适应性头灯,包含至少一发光模块,及中控模块。该至少一发光模块包括第一透镜、发光单元,及第二透镜。该发光单元位于该第一透镜后方,并包括数个左右排列且朝向该第一入光面的发光二极管。该第二透镜位于该第一透镜前方,并形成位于所述发光二极管后方的焦点曲线。通过该第一透镜使每一发光二极管形成位于该焦点曲线上的虚光源,所述虚光源的光线再通过该第一透镜、该第二透镜向前射出,使投射出的光线较为聚焦、集中,以提升投射光线准直性与照明亮度。
  • 适应性头灯
  • [实用新型]一种侧进胶模内切水口模具-CN202020369689.6有效
  • 赖志勇;黄世贤;吴小龙;石阳华 - 漳州盈塑工业有限公司
  • 2020-03-23 - 2021-01-15 - B29C45/26
  • 本实用新型公开一种侧进胶模内切水口模具,涉及注塑模具技术领域,动模中设有切刀,切刀的位置及数目与水口的位置及数目相对应,动模中设有第一顶起件和第二顶起件,切刀下端由第一顶起件固定,第一顶起件上组装有弹性支撑件,模腔下方组装有顶针,顶针下端由第二顶起件固定,弹性支撑件将第二顶起件支撑在第一顶起件上方并使合模状态下第一顶起件和第二顶起件之间具有行程间隙,在开模状态下第一顶起件接触注塑机顶杆。本实用新型提供的一种侧进胶模内切水口模具,在开模的时候,注塑机顶杆推动切刀先于顶针往上移动把流道上的水口切断,之后再推动顶针上移把制品推出模腔,实现自动切断水口,不仅提高产品质量,而且节省人力,提高生产效率。
  • 一种侧进胶模内切水口模具
  • [发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610018287.X有效
  • 陈建宏;黄世贤;杨玉如;曾嘉勋;蔡成宗;吴俊元 - 联华电子股份有限公司
  • 2016-01-12 - 2020-07-28 - H01L27/092
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补。该基底包含有一第一半导体材料,该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料,且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度,该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度,且该第二浓度大于该第一浓度。
  • 半导体元件及其制作方法

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