[发明专利]半导体模块、半导体部件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980090798.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN113474887A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 奥津文武;安达隆郎 | 申请（专利权）人： | 超极存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高散热效率的半导体模块、半导体部件及其制造方法。半导体模块(1)具有：电源部(40)；RAM部(50)，其作为RAM模块，具有与逻辑芯片(20)的露出面和电源部(40)的露出面的相向配置的相向面，并且以跨多个逻辑芯片用信号端子(22)的一部分和多个电源部用电源端子(41)的一部分的方式配置；以及支承基板(10)，其具有能够向逻辑芯片和电源部(40)供电的供电电路，并且一个主面与RAM部(50)的作为相向面的反面的散热面邻接配置，支承基板(10)通过供电电路(12)而与逻辑芯片用电源端子(21)的至少一部分和电源部用电源端子(41)的另一部分电连接，并且，在与RAM部(50)重叠的位置，具有与RAM部(50)的散热面接触且在厚度方向贯通的散热导孔(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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