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- [发明专利]运算处理装置-CN202310817708.5在审
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梶谷一彦;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2017-06-02
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2023-10-13
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G11C5/02
- 本发明的运算处理装置具有：处理部主体(21)，其在规定的第一方向(F1)上排列设置；多个路由器部(30)，其排列设置在与各个所述处理部主体(21)的所述第一方向(F1)交叉的第二方向(F2)上，对多个所述处理部主体(21)之间的数据通信进行中继；以及通信线(12)，其连接多个所述路由器部(30)，所述处理部主体(21)具有排列设置在与所述第一方向(F1)交叉的所述第二方向(F2)上的多个子部(22)，所述子部(22)具有一个运算部(23)和一个存储部(24)，所述运算部(23)包含至少一个核(25)，所述存储部(24)排列设置在所述运算部(23)的第一方向(F1)上。
- 运算处理装置
- [发明专利]半导体模块-CN201780091511.0有效
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梶谷一彦;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2017-06-02
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2023-07-11
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G11C5/02
- 本发明提供一种半导体模块，通过能够扩大存储带宽并且减少耗电从而能够提高数据传输效率。半导体模块(1)具有中介层(10)和处理部(20)，所述处理部(20)载置在所述中介层(10)并与所述中介层(10)电连接，所述处理部具有在沿所述中介层(10)的板面的第一方向(F1)上排列设置的多个处理部主体(21)，所述处理部主体(21)具有多个子部(22)，所述子部(22)具有一个运算部(23)和一个存储部(24)，所述运算部(23)包含至少一个核(25)，所述存储部(24)由层叠型RAM模块构成，并排列设置在运算部(23)的第一方向(F1)上，多个所述子部(22)排列设置在与第一方向(F1)交叉的第二方向(F2)上。
- 半导体模块
- [发明专利]层叠型半导体晶片-CN202210508351.8在审
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山田康利;上村浩二;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2016-12-22
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2022-08-16
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G11C11/401
- 本发明提供一种层叠型半导体晶片，其由多个半导体晶片、备用半导体晶片、控制晶片堆叠而成，多个半导体晶片包含半导体芯片，备用半导体晶片包括用于作为半导体芯片的备品来使用的备用半导体芯片，控制晶片包括控制芯片，控制芯片包括存储部，基于存储部存储的信息，对多个半导体芯片的工作状态和备用半导体芯片的工作状态进行控制，包含半导体芯片的多个半导体晶片和包含备用半导体芯片的备用半导体晶片中的存在缺陷的半导体芯片所相关的信息被存储在如下位置的控制芯片的存储部，该控制芯片位于控制晶片中的与存在缺陷的半导体芯片重叠的位置。由此能够提高半导体芯片的成品率。
- 层叠半导体晶片
- [发明专利]堆叠型半导体装置及其制造方法-CN201680079361.7有效
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山田康利;上村浩二;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2016-12-22
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2022-05-06
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G11C29/00
- 本发明的目的在于提供一种能够实现制造成品率的提高的堆叠型半导体装置，此外，提供该堆叠型半导体装置的制造方法。本发明为由多个半导体芯片、备用半导体芯片、控制芯片堆叠而成的堆叠型半导体装置，所述备用半导体芯片用于作为所述半导体芯片的备品来使用，所述控制芯片对所述多个半导体芯片的工作状态和所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。在这种结构中，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片包含非接触通信部和工作开关，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片能够通过所述非接触通信部与其它所述半导体芯片进行非接触式通信，所述控制芯片通过切换所述半导体芯片的所述工作开关来对所述半导体芯片的工作状态进行控制，通过切换所述备用半导体芯片的所述工作开关来对所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。
- 堆叠半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201580081652.5有效
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斋藤元章;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2015-07-16
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2022-01-25
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H01L21/822
- 一种半导体元件(10)，其具有：元件第1主面(11)、元件第2主面(12)、以及元件侧面(13)，所述元件第2主面(12)是与元件第1主面(11)相反的面，所述半导体元件(10)由半导体基板部(20)和绝缘层部(30)构成，所述半导体元件(10)具有：信号收发端子(14)，其设置在所述元件第1主面(11)，其在与设置在外部基板(200)的外部基板信号收发端子(210)之间能够接触地收发信号，所述外部基板(200)位于所述半导体元件(10)的外部；以及信号收发线圈(15)，其设置在所述元件侧面(13)，其在与设置在外部半导体元件(100)的外部半导体元件信号收发部(120)之间经由所述元件侧面(13)能够非接触地收发信号，所述外部半导体元件(100)位于所述半导体元件(10)的外部，信号收发线圈(15)具有在绝缘层部的内部形成的导体和在半导体基板部(20)的内部形成的导体。
- 半导体元件及其制造方法
- [发明专利]半导体模块、半导体部件及其制造方法-CN201980090798.4在审
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奥津文武;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2019-01-30
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2021-10-01
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H01L25/065
- 本发明提供一种能够提高散热效率的半导体模块、半导体部件及其制造方法。半导体模块(1)具有：电源部(40)；RAM部(50)，其作为RAM模块，具有与逻辑芯片(20)的露出面和电源部(40)的露出面的相向配置的相向面，并且以跨多个逻辑芯片用信号端子(22)的一部分和多个电源部用电源端子(41)的一部分的方式配置；以及支承基板(10)，其具有能够向逻辑芯片和电源部(40)供电的供电电路，并且一个主面与RAM部(50)的作为相向面的反面的散热面邻接配置，支承基板(10)通过供电电路(12)而与逻辑芯片用电源端子(21)的至少一部分和电源部用电源端子(41)的另一部分电连接，并且，在与RAM部(50)重叠的位置，具有与RAM部(50)的散热面接触且在厚度方向贯通的散热导孔(11)。
- 半导体模块部件及其制造方法
- [发明专利]层叠型半导体装置及数据通信方法-CN201680082164.0有效
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元山裕二;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2016-02-18
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2021-09-21
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H01L25/065
- 本发明提供一种以利用了磁场耦合的TCI技术进行数据的传输的情况下能够用1组线圈对多个值的数据进行发送和接收的技术。在至少层叠了第1半导体芯片和第2半导体芯片的层叠型半导体装置中，所述第1半导体芯片以非接触方式发送数据，所述第2半导体芯片以非接触方式接收所述被发送的数据，所述第1半导体芯片包含：发送部，其基于作为发送对象的数据的值，输出能够得到表示该数据的值的至少3种以上的状态的发送信号；以及发送线圈，其将所述发送信号转换为磁场信号，所述第2半导体芯片包含：接收线圈，其将所述发送线圈所转换的所述磁场信号转换为接收信号；以及接收部，其基于所述接收信号的状态，对所述被发送的数据进行复原。
- 层叠半导体装置数据通信方法
- [发明专利]半导体模块-CN202110068074.9在审
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泷下隆治;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2017-06-02
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2021-05-14
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H01L25/18
- 本发明提供一种能够提高逻辑芯片和RAM间的带宽(bandwidth)的半导体模块。半导体模块(1)具有逻辑芯片、由层叠型RAM模块构成的RAM部(30)、将逻辑芯片与一对RAM部(30)分别电连接的第一中介层(10)、将逻辑芯片与RAM部(30)之间分别以能够通信的方式连接的连接部(40)，RAM部(30)载置在第一中介层(10)，并且其一端部隔着连接部(40)与逻辑芯片的一端部在层叠方向(C)重叠配置，所述逻辑芯片被所述第一中介层供给电源和接地，所述RAM部被所述第一中介层供给电源和接地，所述逻辑芯片还经由所述连接部被所述RAM部供给电源和接地。
- 半导体模块
- [发明专利]半导体模块-CN201780091509.3有效
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泷下隆治;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2017-06-02
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2021-02-05
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G11C5/04
- 本发明提供一种能够提高逻辑芯片和RAM间的带宽(bandwidth)的半导体模块。半导体模块(1)具有逻辑芯片、分别由层叠型RAM模块构成的一对RAM部(30)、使逻辑芯片与一对RAM部(30)分别电连接的第一中介层(10)、将逻辑芯片与一对RAM部(30)之间分别以能够通信的方式连接的连接部(40)，一个RAM部(30a)载置在第一中介层(10)，其一端部隔着连接部(40)与逻辑芯片的一端部在层叠方向(C)重叠配置，另一个RAM部(30b)隔着连接部(40)与一个RAM部(30a)重合，并沿逻辑芯片的外周配置。
- 半导体模块
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