[发明专利]氮化物半导体层叠物及其制造方法、膜质检查方法和半导体生长装置的检查方法有效
| 申请号： | 201980032042.4 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112105763B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 堀切文正 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;G01B11/06;G01N21/3563;G01N21/956;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种氮化物半导体层叠物的制造方法，其中，所述氮化物半导体层叠物是使薄膜在由III族氮化物半导体的晶体形成的基板上进行同质外延生长而成的，所述制造方法具备如下的工序：使薄膜在主面的位错密度为5×10 |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 层叠 及其 制造 方法 质检 生长 装置 检查 | ||
【主权项】：
暂无信息
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