[发明专利]层叠方法以及层叠系统有效
| 申请号： | 201310373266.6 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632997A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 广濑智章;冈野敦;田岛久良;山本隆幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社名机制作所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 发明提供一种层叠方法以及层叠系统，即使在薄壁化的半导体、由高脆性材料构成的半导体等脆性被层叠体的情况下，也能够不受损伤地进行膜状层叠体良好的层叠。在通过将脆性被层叠体（W）与膜状层叠体（F）重合而加热以及加压来将膜状层叠体（F）向脆性被层叠体（W）层叠的层叠方法中，对于载置于载置部件（36）而运入到层叠装置（12）的脆性被层叠体（W），在层叠装置（12）的真空腔（C）内从上方使弹性膜体（16）鼓出，对脆性被层叠体（W）和膜状层叠体（F）加压而将其层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种层叠方法，通过将脆性被层叠体与膜状层叠体重合并加热以及加压来将膜状层叠体层叠于脆性被层叠体，其特征在于，对于载置于载置部件而运入到层叠装置的脆性被层叠体，在层叠装置的真空腔内从上方使弹性膜体鼓出，对脆性被层叠体和膜状层叠体进行加压而将其层叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
