[发明专利]电容器及其制作方法在审
| 申请号： | 201980001973.8 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110785840A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陆斌;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐勇勇;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种电容器及其制作方法，电容器包括：非半导体衬底；第一半导体层，设置于非半导体衬底的上方，第一半导体层形成有至少一个第一沟槽阵列；至少一个第一叠层结构，设置于第一半导体层上方且填满至少一个第一沟槽阵列，第一叠层结构包括N层导电层和M层电介质层，N层导电层和M层电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，N、M为正整数；至少一个第一外接电极电连接至N层导电层中的所有奇数层导电层；至少一个第二外接电极电连接至N层导电层中的所有偶数层导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 半导体层 电介质层 电容器 导电层中 叠层结构 非半导体 沟槽阵列 外接电极 电连接 衬底 偶数层 奇数层 正整数 填满 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，包括：/n非半导体衬底；/n第一半导体层，设置于所述非半导体衬底的上方，所述第一半导体层形成有至少一个第一沟槽阵列；/n至少一个第一叠层结构，设置于所述第一半导体层上方且填满所述至少一个第一沟槽阵列，所述第一叠层结构包括N层导电层和M层电介质层，所述N层导电层和所述M层电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，N、M为正整数；/n至少一个第一外接电极，所述第一外接电极电连接至所述N层导电层中的所有奇数层导电层；/n至少一个第二外接电极，所述第二外接电极电连接至所述N层导电层中的所有偶数层导电层。/n
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