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[发明专利]沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法-CN201510033925.0有效
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型超级结器件的版图结构，是在每个晶粒中具有多个用于形成立柱的沟槽，相邻且平行的沟槽作为一个沟槽阵列，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直。本申请还公开了一种沟槽型超级结器件的制造方法，已形成的超级结结构是在每个晶粒中具有两个以上的沟槽阵列，每个沟槽阵列由相邻且平行的沟槽所组成，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直；所述方法包括以离子注入工艺形成覆盖所有沟槽阵列的离子注入区，所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列；最终在所有沟槽阵列上均形成超级结器件。本申请通过相邻的晶粒或单元中的沟槽阵列的相互垂直的排列方向，来抵消深沟槽刻蚀后的应力，并克服了位错等缺陷。
沟槽超级器件版图结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910800876.7有效
发明人：蔡宇翔;曾仲铨;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：半导体结构包含具有沟槽阵列在其中的基底。沟槽阵列包含多个内沟槽，以及相邻于且沿着沟槽阵列的周围延伸的多个外沟槽。前述的外沟槽各自的宽度皆大于前述的内沟槽各自的宽度。堆叠在沟槽阵列上的电容材料。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]具有沟槽阵列的光学元件及其光源装置-CN201621227233.6有效
发明人：黄日昇;王明郎 -专利权人：茗翔科技股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： F21V5/00 文献下载
摘要：一种具有沟槽阵列的光学元件，其中包括一透光本体，所述透光本体具有一入光面及一出光面；及多个沟槽阵列设置于所述出光面上，每一所述沟槽阵列分别由多个以相等间距且相互平行的沟槽微结构组成；每一所述沟槽阵列另一沟槽阵列中的多个沟槽微结构相互交错；每一沟槽阵列的多个沟槽微结构为从出光面朝向入光面的方向凹入的沟槽，且每两相邻的沟槽微结构之间的间距大于每一所述沟槽微结构的所述开口的宽度，而使得多个所述沟槽微结构之间的所述出光面形成多个平面区块。
具有沟槽阵列光学元件及其光源装置

[实用新型]一种可快速散热的均热板-CN202220721300.9有效
发明人：杨辉著;汪少凡;李明轩;王泽辉;朱永刚 -专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可快速散热的均热板，包括本体、微针肋阵列和沟槽阵列，本体的内部具有密封腔，密封腔的底壁为超亲水表面，顶面为超疏水表面，密封腔内填充有相变液体。微针肋阵列包括多个阵列分布的微针肋，微针肋阵列内由多个微针肋形成多条流体通道，在毛细力和表面张力的作用下，相变液体会在流体通道内形成弯月面液膜。沟槽阵列包括多个阵列分布的沟槽，多个沟槽沿微针肋阵列的周向分布，且沟槽连通流体通道。当热量传导至微针肋阵列时，由于蒸发区表面积的增大以及弯月面液膜的作用，相变液体会迅速吸热蒸发，冷凝后可被沟槽阵列快速收集，通过沟槽引流至微针肋阵列，大大提高了电子芯片的散热效率，使得电子芯片的散热性能满足需求
一种快速散热均热

[发明专利]半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法-CN202310590379.5在审
发明人：欧少敏;谭理 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在半导体底层上的掩模层；在掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，第一沟槽和第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，第一沟槽和第二沟槽也交替且错位排布；位于掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至半导体底层中，且在半导体底层中第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通
半导体结构评估刻蚀工艺菜单方法

[发明专利]烹饪盘-CN200910145587.4无效
发明人：安德鲁·约翰·格里戈尔 -专利权人：阳光有限责任公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： A21B3/15 文献下载
摘要：该第一烹饪区包括从底部延伸出来、并在其间具有第一沟槽阵列的第一肋阵列。该第二烹饪区包括从底部延伸出来、并在其间具有第二沟槽阵列的第二肋阵列。第一阵列的肋和/或沟槽之间的间距不同于第二阵列的肋和/或沟槽之间的间距。
烹饪

[发明专利]一种多沟槽结构的制作方法-CN201210325243.3有效
发明人：张新伟;代丹;周国平;夏长奉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
一种沟槽结构制作方法

[发明专利]一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法-CN201710131738.5有效
发明人：徐强;夏志良;严萍;李广济;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，其中，所述沟槽版图结构包括：沟槽开口，沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，字线台阶区沟槽开口与阵列区沟槽开口相接，沿垂直于沟槽开口长度延伸方向上，字线台阶区沟槽开口的宽度大于阵列区沟槽开口的宽度。由于将字线台阶区沟槽开口的宽度进行增大处理，使得字线台阶沟槽底部的尺寸增加，在沉积金属过程中，字线台阶区的金属堆积厚度，相对于未增加宽度的字线台阶区沟槽底部金属堆积厚度较薄，从而在后续从沟槽中分离金属的步骤中
一种沟槽版图结构半导体器件及其制作方法

[实用新型]细胞筛选芯片及细胞筛选系统-CN202022451819.3有效
发明人：杨旸;庄紫云;姜奥 -专利权人：上海荧辉医疗器械有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：该细胞筛选芯片的芯片本体设有进液沟槽，沿进液沟槽的导流方向，进液沟槽的末端封闭，进液沟槽的两侧各设一出液沟槽，进液沟槽与每个出液沟槽间设有筛选阵列；筛选阵列的每个筛选单元包括容置腔和筛选通道，进液沟槽、容置腔、筛选通道和出液沟槽依次连通；目标细胞的直径大于筛选通道的宽度且小于容置腔的宽度；两个筛选阵列中的一个筛选阵列中的容置腔的入口端与另一个筛选阵列中的容置腔的入口端错位设置，进液沟槽交错分流，目标细胞每次流经一个容置腔
细胞筛选芯片系统

[实用新型]一种复合沟槽型肖特基二极管器件-CN202222680748.3有效
发明人：张小辛;李秋梅;艾治州 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复合沟槽型肖特基二极管器件，该器件包括衬底、外延层、沟槽结构阵列、肖特基金属层、正面金属电极层及背面金属电极层，其中，外延层位于衬底的正面；沟槽结构阵列位于外延层中并包括多个排列成至少两行及至少两列的沟槽结构阵列单元，每个沟槽结构阵列单元包括多个相互平行且间隔设置的线型沟槽结构，相邻两个沟槽结构阵列单元中的线型沟槽结构的延伸方向互相垂直；肖特基金属层位于外延层的正面并覆盖线型沟槽结构；正面金属电极层位于肖特基金属层上本实用新型的复合型沟槽器件设计可以有效改善晶圆翘曲问题，降低器件位错等缺陷，同时可进一步改善电场分布，有助于提高器件稳定性。
一种复合沟槽型肖特基二极管器件

[发明专利]双空腔结构的制备方法-CN201710534699.3在审
发明人：代丹;夏长奉;董娟娟 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：制备方法，包括：在半导体衬底上刻蚀，形成第一沟槽阵列；第一沟槽阵列的顶部各自分离，底部相互联通形成第一空腔；在形成第一沟槽阵列的半导体衬底上生长第一外延层，使第一外延层覆盖第一沟槽阵列；在第一外延层上刻蚀，形成第二沟槽阵列；第二沟槽阵列顶部各自分离，底部相互联通形成第二空腔；在形成第二沟槽阵列的第一外延层上生长第二外延层；刻蚀第一外延层，形成联通第一空腔与第二空腔的直槽。
沟槽阵列外延层双空腔刻蚀联通制备第二空腔第一空腔衬底半导体表面平整后续工艺结构稳固湿法工艺生长甩干小线直槽断裂覆盖

[实用新型]电容器及电容模组-CN202321042808.7有效
发明人：汪大祥;史闻 -专利权人：上海朗矽科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型提供电容器及电容模组，所述电容器包括：衬底，所述衬底的正面内具有多个沟槽阵列；所述多个沟槽阵列由多个沟槽沿至少两个不同的方向相间排列形成；所述多个沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的衬底的表面上具有介质层；电极层，位于所述介质层表面上且覆盖所述多个沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的衬底的表面。本实用新型提供的电容器，电容器的衬底的正面内具有多个沿不同方向排列的沟槽阵列，上面覆盖电极层，多个沿不同方向排列的沟槽阵列既可以在有限的面积内实现更大的容值，还可以相互抵消加工过程中的应力，提高电容加工的成功率
电容器电容模组

[发明专利]细胞筛选芯片、细胞筛选系统及其方法-CN202011186434.7在审
发明人：杨旸;庄紫云;姜奥 -专利权人：上海荧辉医疗器械有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：该细胞筛选芯片的芯片本体设有进液沟槽，沿进液沟槽的导流方向，进液沟槽的末端封闭，进液沟槽的两侧各设一出液沟槽，进液沟槽与每个出液沟槽间设有筛选阵列；筛选阵列的每个筛选单元包括容置腔和筛选通道，进液沟槽、容置腔、筛选通道和出液沟槽依次连通；目标细胞的直径大于筛选通道的宽度且小于容置腔的宽度；两个筛选阵列中的一个筛选阵列中的容置腔的入口端与另一个筛选阵列中的容置腔的入口端错位设置，进液沟槽交错分流，目标细胞每次流经一个容置腔
细胞筛选芯片系统及其方法

[发明专利]一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构-CN201710157509.0在审
发明人：王珩宇;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、填满沟槽阵列并且下表面为平整平面的第二层金属以及上表面与第二层金属底面相连并且下表面是平整平面的第三层金属
一种金属叠层填沟槽阵列碳化硅衬底结构

[发明专利]高密度MOSFET阵列及其制备方法-CN201410065226.X有效
发明人：李亦衡;金钟五;常虹 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度沟槽栅极的MOSFET阵列及制备方法，包括分为MOSFET阵列区和栅极拾取区的半导体衬底；多个精确隔开的氮化物压盖的有源沟槽栅极堆栈，嵌入在外延区中。每个氮化物压盖的有源沟槽栅极堆栈包括一个多晶硅沟槽栅极的堆栈，多晶硅沟槽栅极带有栅极氧化物壳和氮化硅压盖，覆盖在多晶硅沟槽栅极上方，并水平定位至栅极氧化物壳。氮化物压盖的有源沟槽栅极堆栈与源极、本体、外延区一起在MOSFET阵列区中构成MOSFET器件。在MOSFET阵列区和栅极拾取区上方，一个带图案的电介质区在MOSFET阵列上，一个带图案的金属层在带图案的电介质区上方。带图案的金属层和MOSFET阵列、栅极拾取区一起，通过内部氮化物压盖的有源沟槽栅极堆栈间隔，构成自对准的源极和本体接头。
高密度 mosfet 阵列及其制备方法

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