[实用新型]碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构

摘要

本申请公开了一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，第一套筒安装在安装盖的下端，第二套筒安装在第一套筒的下端，第一套筒下端且位于第二套筒的外周安装有多个第一加热杆，第三套筒内设有用于安装第二套筒的第一限位腔，第二套筒内设有多个第二加热杆，第一套筒外壁与第三套筒内壁形成第二限位腔，安装盖上设有与第三限位腔连通的第三排气管，第一电阻丝安装在第一导热套内，第二电阻丝安装在第二导热套内，第一电阻丝的电阻大于第二电阻丝的电阻。本实用新型能够实现分区加热处理，可以实现对不同颗粒大小的碳化硅半导体进行分区氧化，实现不同温度的氧化导热处理，有效提高热效率，提高了氧化的效率和质量。