[实用新型]碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构

权利要求书

1.一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，包括安装盖(1)、第一套筒(2)、第二套筒(5)和第三套筒(6)，第一套筒(2)安装在安装盖(1)的下端，第二套筒(5)安装在第一套筒(2)的下端，第一套筒(2)的下端且位于第二套筒(5)的外周安装有多个第一加热杆(4)，第三套筒(6)内设有用于安装第二套筒(5)的第一限位腔(7)，第二套筒(5)内设有多个第二加热杆(9)，第一套筒(2)外壁与第三套筒(6)内壁形成第二限位腔(13)，安装盖(1)上设有与第二限位腔(13)连通的第三排气管(20)，第一加热杆(4)包括第一导热套(401)、第一电阻丝(402)和第二绝热套(403)，第一电阻丝(402)安装在第一导热套(401)内，第一导热套(401)通过第二绝热套(403)安装在安装盖(1)上，第二加热杆(9)包括第二导热套(901)、第二电阻丝(902)和第一绝热套(903)，第二电阻丝(902)安装在第二导热套(901)内，第二导热套(901)通过第一绝热套(903)安装在安装盖(1)上，第一电阻丝(402)的电阻大于第二电阻丝(902)的电阻。

2.如权利要求1所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第一套筒(2)的外壁设有多个第一凸起(3)。

3.如权利要求1所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第二套筒(5)内壁设有多个第二凸起(14)。

4.如权利要求1所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第一套筒(2)的外径为m1，第三套筒(6)的内径为m4，m4≤m1。

5.如权利要求1所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第二套筒(5)内部设有第四套筒(11)，第四套筒(11)的外壁与第二套筒(5)的内壁形成第三限位腔(15)，安装盖(1)上设有与第三限位腔(15)连通的第二排气管(19)。

6.如权利要求5所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第三限位腔(15)的内径为m2，第三套筒(6)内设有第五套筒(16)，第五套筒(16)的壁厚为m3，m3≤m2。

7.如权利要求6所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第五套筒(16)内壁设有多个第三凸起(18)。

8.如权利要求5所述的碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，其特征在于，第四套筒(11)内设有第四限位腔(12)，第二加热杆(9)安装在第四限位腔(12)内，安装盖(1)上设有与第四限位腔(12)连通的第一排气管(10)。