[实用新型]碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构

说明书

本申请公开了一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，第一套筒安装在安装盖的下端，第二套筒安装在第一套筒的下端，第一套筒下端且位于第二套筒的外周安装有多个第一加热杆，第三套筒内设有用于安装第二套筒的第一限位腔，第二套筒内设有多个第二加热杆，第一套筒外壁与第三套筒内壁形成第二限位腔，安装盖上设有与第三限位腔连通的第三排气管，第一电阻丝安装在第一导热套内，第二电阻丝安装在第二导热套内，第一电阻丝的电阻大于第二电阻丝的电阻。本实用新型能够实现分区加热处理，可以实现对不同颗粒大小的碳化硅半导体进行分区氧化，实现不同温度的氧化导热处理，有效提高热效率，提高了氧化的效率和质量。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅半导体加工设备的技术领域，尤其涉及一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构。

背景技术

碳化硅是一种重要的宽带隙半导体材料，在高温、高频和大功率器件等领域有着巨大的应用潜力。和传统的硅材料相比，SiC拥有明显的优势，比如，其禁带宽度是Si的3倍，饱和电子漂移速率是Si的2.5倍，击穿电场是Si的10倍。除了以上优点外，SiC还是众多化合物半导体中唯一一种可以自身形成氧化物的化合物半导体，而SiO2本身又是半导体器件制备工艺中最常用的绝缘介质材料，因而SiC材料可以与传统的Si器件制备工艺相兼容。

现有技术中碳化硅半导体氧化装置大多对碳化硅半导体进行同一温度进行氧化处理，现有的导热结构也是保证氧化腔内具有一致的温度，然而现有技术中的碳化硅半导体的颗粒大小不一，这就导致了氧化效率和质量无法满足加工时的需求，故此亟需开发一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构来解决现有技术中的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足而提供一种能够提高碳化硅半导体氧化效率的导热结构。

解决上述技术问题，本实用新型采取如下技术方案：

一种碳化硅半导体高温氧化装置的导热结构，包括安装盖、第一套筒、第二套筒和第三套筒，第一套筒安装在安装盖的下端，第二套筒安装在第一套筒的下端，第一套筒的下端且位于第二套筒的外周安装有多个第一加热杆，第三套筒内设有用于安装第二套筒的第一限位腔，第二套筒内设有多个第二加热杆，第一套筒外壁与第三套筒内壁形成第二限位腔，安装盖上设有与第三限位腔连通的第三排气管，第一加热杆包括第一导热套、第一电阻丝和第二绝热套，第一电阻丝安装在第一导热套内，第一导热套通过第二绝热套安装在安装盖上，第二加热杆包括第二导热套、第二电阻丝和第二绝热套，第二电阻丝安装在第二导热套内，第二导热套通过第二绝热套安装在安装盖上，第一电阻丝的电阻大于第二电阻丝的电阻。

本实用新型实施例第一套筒的外壁设有多个第一凸起。

本实用新型实施例第二套筒内壁设有多个第二凸起。

本实用新型实施例第一套筒的外径为m1，第三套筒的内径为m4， m4≤m1。

本实用新型实施例第二套筒内部设有第四套筒，第四套筒的外壁与第二套筒的内壁形成第三限位腔，安装盖上设有与第三限位腔连通的第二排气管。

本实用新型实施例第三限位腔的内径为m2，第三套筒内设有第五套筒，第五套筒的壁厚为m3，m3≤m2。

本实用新型实施例第五套筒内壁设有多个第三凸起。

本实用新型实施例第四套筒内设有第四限位腔，第二加热杆安装在第四限位腔内，安装盖上设有与第四限位腔连通的第一排气管。

本实用新型的有益效果为：