[实用新型]开槽电池片及电池片组件有效

专利信息
申请号: 201920989175.8 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN209804675U 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 周豪浩;张卫;任锴;曾仲;徐晓平;楚海元 申请(专利权)人: 无锡尚德太阳能电力有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/05
代理公司: 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 曹祖良
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及光伏领域,具体涉及一种开槽电池片及电池片组件。所述开槽电池片包括电池片本体,所述电池片本体的正面设有主栅线,靠近所述主栅线端头位置处的电池片本体上开设有凹槽;所述主栅线上铺设有第一焊接层,电池片本体背面铺设有与所述第一焊接层位置相对应的第二焊接层,所述第一焊接层的前、后两端和第二焊接层的前、后两端分别形成前焊接端头和后焊接端头。所述电池片组件包括多个所述的开槽电池片,并且前一开槽电池片上的第二焊接层与当前开槽电池片上的第一焊接层之间通过折弯焊带相连;所述折弯焊带穿过所述凹槽。所述开槽电池片及电池片组件能够该技术能够提升组件效率,降低电池片裂片风险,同时能够降低单片成本。
搜索关键词: 焊接层 电池片 开槽 电池片本体 电池片组件 主栅线 焊接端 焊带 折弯 本实用新型 电池片裂片 端头位置处 提升组件 单片 光伏 上铺 背面 穿过 铺设
【主权项】:
1.一种开槽电池片,其特征在于,所述开槽电池片包括电池片本体(100),所述电池片本体(100)的正面设有主栅线(200),靠近所述主栅线(200)端头位置处的电池片本体(100)上开设有凹槽;/n所述主栅线(200)上铺设有第一焊接层(310),电池片本体(100)背面铺设有与所述第一焊接层(310)位置相对应的第二焊接层(320),所述第一焊接层(310)的前、后两端和第二焊接层(320)的前、后两端分别形成前焊接端头和后焊接端头。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡尚德太阳能电力有限公司,未经无锡尚德太阳能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920989175.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 金/二氧化钛肖特基结的热电子光电探测器及其制备方法-201911072057.1
  • 崔艳霞;邱开放;王文艳;翟爱平;张叶;李国辉;冀婷;郝玉英 - 太原理工大学
  • 2019-11-05 - 2020-02-14 - H01L31/0352
  • 本发明涉及光电探测器制作领域,一种制作金/二氧化钛肖特基结的热电子光电探测器的方法,将掺氟氧化铟锡(FTO)导电玻璃作为衬底;利用正对溅射的方法在掺氟氧化铟锡导电玻璃衬底一侧表面沉积二氧化钛层,利用正对溅射的方法在二氧化钛表面沉积金膜;放入马弗炉中进行退火处理;利用正对溅射的方法在退火处理后的附有二氧化钛层和金颗粒的掺氟氧化铟锡导电玻璃表面沉积金。通过激发保形金属纳米结构的表面等离激元效应以增强器件对入射光的吸收效率和实现响应光谱的拓宽,进而获得高性能的宽光谱光电探测器。
  • 异质结太阳能电池片、叠瓦组件及其制造方法-201911183792.X
  • 王秀鹏;王月斌;蒋卫朋;余义 - 成都晔凡科技有限公司
  • 2019-11-27 - 2020-02-07 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件及其制造方法。异质结太阳能电池片的基体片包括中心层、N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层和透光导电层,中心层包括单晶硅衬底层和本征非晶硅薄膜层,本征非晶硅薄膜层设置在单晶硅衬底层的顶侧和底侧,且位于单晶硅衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均为至少两层;N型非晶硅薄膜层设置在中心层的顶侧,P型非晶硅薄膜层设置在中心层的底侧;透光导电层设置在N型非晶硅薄膜层的顶侧和P型非晶硅薄膜层的底侧。本发明能够降低单晶硅衬底与N型、P型非晶硅薄膜层之间缺陷态密度及表面复合速率、提高钝化效果,提高电池的开路电压、填充因子和转换效率。
  • 一种太阳能电池-201920414640.5
  • 黄文洋 - 东泰高科装备科技有限公司
  • 2019-03-29 - 2020-02-04 - H01L31/0352
  • 本实用新型实施例公开一种太阳能电池。其中,所述太阳能电池包括:包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层,在相邻两节子电池之间设置一个隧穿结,隧穿结包括层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层,n型第一掺杂层和n型第二掺杂层相邻,p型第一掺杂层和p型第二掺杂层相邻,n型第一掺杂层和p型第一掺杂层相邻;n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于n型第二掺杂层的掺杂浓度,p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于p型第二掺杂层的掺杂浓度。所述制备方法用于制备上述太阳能电池。本实用新型实施例提供的太阳能电池,提高了太阳能电池的光电转换效率。
  • 一种强吸收的外尔半金属光电探测器-201921209606.0
  • 不公告发明人 - 金华伏安光电科技有限公司
  • 2019-07-30 - 2020-01-21 - H01L31/0352
  • 本实用新型涉及一种强吸收的外尔半金属光电探测器,该器件包括电极、外尔半金属材料、电压源、电流表,外尔半金属材料置于两电极间,并与两电极欧姆接触,电压源、电流表、电极、外尔半金属材料通过导线连接成回路,在外尔半金属材料的顶部设有凹槽。外尔半金属材料上的凹槽扩大了其与光的接触面积,光会被耦合到凹槽中,提高了外尔半金属材料对光的吸收效率,进而提高了探测灵敏度。
  • 一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法-201810347600.3
  • 匡文剑;刘向;咸冯林;徐林华;苏静;张仙玲;赖敏 - 南京信息工程大学
  • 2018-04-18 - 2020-01-17 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法,所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点‑碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液,然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点‑碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中,由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题,提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法,利用碳量子点作为载流子传输层,可以极大程度的提高探测器的光响应电流,从而提高响应度,达到提高器件性能的目的。
  • 一种纳米球壳阵列光伏结构-201711487548.3
  • 李本强;杨欢;江新兵;于伟;丁秋玉 - 西安交通大学
  • 2017-12-29 - 2020-01-14 - H01L31/0352
  • 一种纳米球壳阵列光伏结构,包括基底,基底上设有金属电极层,金属电极层上设有光吸收层,光吸收层为紧密排列的单层开口球壳阵列结构,光吸收层上面设有透明电极层;光吸收层是由p型掺杂层,i型层以及n型掺杂层三层组成p‑i‑n结;入射太阳光可以通过球壳阵列的减反作用和球壳腔体的共振作用极大提高光吸收层的光吸收效率。
  • 一种氧化镓基紫外探测器及其制作方法-201810717548.6
  • 龙世兵;覃愿;董航;何启鸣;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2018-07-03 - 2020-01-10 - H01L31/0352
  • 本发明提供一种氧化镓基紫外探测器,包括氧化镓晶体衬底、石墨烯层、第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极,其中,第一欧姆接触电极生长在所述氧化镓晶体衬底的第一面;氧化镓晶体衬底的第二面形成有针尖状结构;石墨烯层位于氧化镓晶体衬底的第二面的表面,并且与氧化镓晶体衬底的第二面形成的针尖状结构相接触;第二欧姆接触电极生长在石墨烯层的不与氧化镓晶体衬底接触的表面。本发明还提供一种氧化镓基紫外探测器的制作方法。本发明能够提高紫外探测器的响应灵敏度以及响应速度,且工艺简单、成本低廉。
  • 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件-201910939163.9
  • 孙海定;余华斌 - 中国科学技术大学
  • 2019-09-27 - 2020-01-07 - H01L31/0352
  • 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件,其中,多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成,多量子阱结构中,沿其生长方向的最后一层为第一量子阱层。通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层,有效抑制了电子从有源区溢出,并将其应用于光电器件外延片及光电器件中,提升了光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率,实现了大功率光电器件的制备。
  • 太阳能电池与其制作方法-201810673236.X
  • 张新勇 - 东泰高科装备科技(北京)有限公司
  • 2018-06-26 - 2020-01-03 - H01L31/0352
  • 本申请提供了一种太阳能电池与其制作方法。该太阳能电池包括依次叠置设置的衬底、背场层、基层以及发射层,背场层的掺杂类型与基层的掺杂类型相同,基层与发射层形成PN结,基层为包括多个叠置且相同的周期结构的超晶格结构层;各周期结构包括叠置设置的第一子结构层和第二子结构层,第一子结构层的掺杂类型和第二子结构层中的掺杂类型相同,第一子结构层的掺杂浓度大于第二子结构层中的掺杂浓度;或者,第一子结构层为掺杂层,第二子结构层为本征层。该太阳能电池的基层为超晶格结构层,可以减少掺杂引起的缺陷,限制电子在垂直于超晶格方向的运动,减少电子被缺陷俘获的几率,提高基层中的少子的寿命,从而使得电池的转换效率提高了2%左右。
  • 方形螺旋硅漂移探测器-201920424776.4
  • 李正;唐立鹏 - 湖南正芯微电子探测器有限公司
  • 2019-04-01 - 2020-01-03 - H01L31/0352
  • 本实用新型公开了一种方形螺旋硅漂移探测器,包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片,方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布,且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽,正面保护环环绕螺旋阴极分布;基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环,入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内,反面电极极性为阴极。方形螺旋阴极的宽度范围为10~40μm,正面保护环的圈数为3圈。n+收集阳极与螺旋阴极掺杂类型相反,但掺杂浓度数量级相同,反面电极与方形螺旋形电极的掺杂类型和掺杂浓度数量级均相同,基片与n+收集阳极的掺杂类型相同。n+收集阳极为掺杂硼硅,方形螺旋阴极为掺杂磷硅。
  • 一种半导体三量子点结构实现中远红外单光子探测的方法-201711291750.9
  • 钟旭 - 上海电机学院
  • 2017-12-07 - 2019-12-31 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种半导体三量子点结构实现中远红外单光子探测的方法。在半导体量子结构中远红外探测领域,量子点中电子激发寿命相比目前较成熟的量子阱红外探测器方案要更长,因此量子点探测器工作温度更高、光电导增益也更高。本发明引入了Fano型量子干涉通道,增强了光子吸收效率,进一步增大了光电导增益;同时,由于光子吸收只发生在中间量子点C中,降低了周围环境的影响,进一步提高了工作温度。
  • 一种平板探测器及其制造方法-201910883981.1
  • 陈钢 - 南京迪钛飞光电科技有限公司
  • 2019-09-19 - 2019-12-27 - H01L31/0352
  • 本发明提供一种平板探测器及其制造方法,一种平板探测器包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层;还包括位于层间绝缘层上的阻挡层;至少部分所述阻挡层呈浮动状态,至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方。本发明平板探测器上设置阻挡层,至少部分阻挡层位于半导体层的正上方,阻挡层可以阻挡光电转换层形成时氢气扩散对半导体层的影响、也可以阻挡X射线或环境光对半导体层的影响。
  • 一种二硫化铪薄膜-硅孔阵列异质结、制备方法及其应用-201910997372.9
  • 张希威;孟丹;景义林 - 安阳师范学院
  • 2019-10-08 - 2019-12-24 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种二硫化铪薄膜‑硅孔阵列异质结、制备方法及其应用。其包括一层表面具有周期性孔阵列结构的单面抛光单晶硅片,单晶硅片上设有一层连续均匀的二硫化铪薄膜。本发明内容所涉及的异质结制备方法包括光刻、反应离子刻蚀以及原子层沉积工艺制备二硫化铪。由于本发明所涉及的异质结是由新型二维半导体二硫化铪与表面具有三维纳米结构的硅衬底结合,不但可以发挥出新型二维材料的优点,还可以达到调控吸光波长、增强光吸收的效果;并且原子层沉积工艺可以使二硫化铪薄膜完全铺满硅衬底表面和孔的侧壁以及孔底,实现全面接触,使得所制备的异质结结区面积大,进而提高光电子器件的光电转换效率。
  • 一种太阳能电池结构-201921077254.8
  • 韩安军;谢毅;刘正新;孟凡英;卞剑涛 - 中威新能源(成都)有限公司
  • 2019-07-10 - 2019-12-24 - H01L31/0352
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池结构,包括以下步骤:形成一具有多个第一绝缘槽与多个第二绝缘槽的层堆叠结构,所述第一绝缘槽自所述层堆叠结构上表面开口并往下延伸,所述第二绝缘槽自所述层堆叠结构下表面开口,并往上延伸,所述第一绝缘槽的底面高于所述第二绝缘槽的底面,所述第一绝缘槽与所述第二绝缘槽上下一一相对并错开预设距离。本实用新型完成相邻子电池正电极与背电极的互连;从而减少电池效率损失,同时杜绝互连过程中导电胶水外溢导致的太阳电池短路;太阳能子电池之间平铺互连,无电池片部分悬空现象,可以减少电池片隐裂风险,增加组件加工成品率,提高组件输出功率;适用于各种太阳能电池,且特别适用于超薄太阳能电池。
  • 量子点异质结及其应用-201910694796.8
  • 黄伟 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2019-07-30 - 2019-12-20 - H01L31/0352
  • 本发明公开了量子点异质结及其应用。其中,量子点异质结包括量子点吸光层和多铁/铁电功能层,量子点吸光层的材料为量子点材料,多铁/铁电功能层的材料为多铁材料或者铁电材料。首先,该功能层的引入有利于提高量子点吸光层内的光生载流子的分离效率;其次,该功能层具有较高的表面电阻和介电常数,使异质结界面处电阻率极高,可以有效降低异质结界面处的电子转移,提高量子点吸光层的电子传输效率;最后,多铁材料或铁电材料内的铁电畴有残余铁电极化,可形成内部的“退极化电场”,能够提供“电子空穴对”分离的驱动力,减少载流子的复合几率,提高“光生电流”。因此应用本发明量子点异质结的光电器件的光电转化效率得到显著地提升。
  • 一种二硫化锆-锗纳米金字塔异质结、制备方法及其应用-201910997350.2
  • 张希威;孟丹;汤振杰 - 安阳师范学院
  • 2019-10-08 - 2019-12-20 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种二硫化锆‑锗纳米金字塔异质结、制备方法及其应用。其包括一层表面具有纳米金字塔结构的单面抛光单晶锗片,单晶锗片上设有一层均匀连续的二硫化锆薄膜。本发明内容所涉及的异质结制备方法包锗片表面的各向异性刻蚀以及原子层沉积工艺制备二硫化锆。由于本发明所涉及的异质结是由新型二维半导体二硫化锆与表面具有三维纳米结构的锗衬底结合,不但可以发挥出新型二维材料的优点,还可以达到调控吸光波长、增强光吸收的效果;并且原子层沉积工艺可以使二硫化锆薄膜完全铺满锗衬底表面和纳米金字塔的侧壁,实现全面接触,使得所制备的异质结结区面积大,进而提高光电子器件的光电转换效率。
  • 用于有毒气体监测的超中波红外探测器-201920395776.6
  • 詹健龙;宋禹忻;吴一冈;陶晟 - 浙江焜腾红外科技有限公司
  • 2019-03-27 - 2019-12-20 - H01L31/0352
  • 本实用新型公开了用于有毒气体监测的超中波红外探测器,所述探测器的吸收波长为3‑6.5μm。探测器的吸收区由若干层超晶格层依次叠加构成,每层超晶格层从下往上依次包括有InAs层、GaSb层,所述InAs层为11个单原子层厚度,所述GaSb层为11个单原子层厚度。本实用新型的超中波红外探测器的吸收区结构,覆盖的吸收波长达到6.5μm,能够有效、灵敏的检测到二氧化氮等有毒气体,适用于汽车尾气、爆破等气体污染物的监测。
  • 具有低击穿电压的雪崩光电二极管-201710897038.7
  • Y.康;H-D.D.刘 - 英特尔公司
  • 2011-12-29 - 2019-12-17 - H01L31/0352
  • 具有低击穿电压特性的Si/Ge SACM雪崩光电二极管(APD)包括具有特定厚度和掺杂浓度的各种层的倍增区域和吸收区域。光波导可以引导红外和/或光信号或能量进入吸收区域。产生的光生载流子被扫入i‑Si层和/或倍增区域用于雪崩倍增。APD具有充分小于12V的击穿偏置电压和大于10GHz的操作带宽,并且因此适合用于消费者电子装置、高速通信网络等中。
  • 开槽电池片及电池片组件-201920989175.8
  • 周豪浩;张卫;任锴;曾仲;徐晓平;楚海元 - 无锡尚德太阳能电力有限公司
  • 2019-06-28 - 2019-12-17 - H01L31/0352
  • 本实用新型涉及光伏领域,具体涉及一种开槽电池片及电池片组件。所述开槽电池片包括电池片本体,所述电池片本体的正面设有主栅线,靠近所述主栅线端头位置处的电池片本体上开设有凹槽;所述主栅线上铺设有第一焊接层,电池片本体背面铺设有与所述第一焊接层位置相对应的第二焊接层,所述第一焊接层的前、后两端和第二焊接层的前、后两端分别形成前焊接端头和后焊接端头。所述电池片组件包括多个所述的开槽电池片,并且前一开槽电池片上的第二焊接层与当前开槽电池片上的第一焊接层之间通过折弯焊带相连;所述折弯焊带穿过所述凹槽。所述开槽电池片及电池片组件能够该技术能够提升组件效率,降低电池片裂片风险,同时能够降低单片成本。
  • 太阳能电池-201920979603.9
  • 王荣 - 东泰高科装备科技有限公司
  • 2019-06-26 - 2019-12-03 - H01L31/0352
  • 本实用新型提供一种太阳能电池。该太阳能电池包括背电极、模型层、p型掺杂的InP纳米线层和导电玻璃,模型层、InP纳米线层和导电玻璃叠置于背电极的同一侧,且依次远离背电极分布,InP纳米线层中形成有n型掺杂的InP量子点。该太阳能电池能使入射光在InP纳米线层中进行多次散射,形成“陷光效应”,从而减少InP纳米线层表面的反射,增加太阳能电池内部的光程,同时,该InP纳米线层对入射光的入射角度,入射波长都不敏感,从而使InP纳米线层对入射光有很强的捕获能力,进而增加了光的吸收几率,提高了太阳能电池的光电转换效率。
  • 太阳能电池及其制造方法-201510514775.5
  • 梁荣成;崔正薰;金忠义 - LG电子株式会社
  • 2015-08-20 - 2019-11-29 - H01L31/0352
  • 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池,并且该太阳能电池包括:半导体基板;隧穿层,该隧穿层在半导体基板的表面上;缓冲层,该缓冲层在隧穿层上,其中,缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部,并且其中,缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同;导电类型区域,该导电类型区域在隧穿层上,并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域;以及电极,该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
  • 一种雪崩光电二极管-201920732693.1
  • 曾磊;李瑞鑫;王肇中 - 武汉光谷量子技术有限公司
  • 2019-05-21 - 2019-11-22 - H01L31/0352
  • 本实用新型公开了一种雪崩光电二极管,包括:InP衬底层;层叠设置于InP衬底层上的吸收层;层叠设置于吸收层上的非掺杂InP层,非掺杂InP层上开设有环形凹槽,及由环形凹槽围设而成的台阶,沿环形凹槽的槽壁和槽底及沿台阶的底部形成扩散了P型导电杂质的P型导电区域,涉及光电二极管技术领域。本实用新型采用在非掺杂InP层上开设环形凹槽,及由环形凹槽围设而成的台阶,环形凹槽的深度可以用台阶仪等工具测量,较容易监控,通过环形凹槽的深度精确控制了P型导电区域的扩散深度并形成深槽保护环结构,有利于提升雪崩光电二极管的性能,实现高增益和低噪声,可重复性好、成品率高、使用性能好。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top