[实用新型]电池片有效

申请号：	201920920532.5	申请日：	2019-06-18
公开（公告）号：	CN210040232U	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	张俊兵;尹海鹏;唐文帅	申请（专利权）人：	合肥晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
主分类号：	H01L31/068	分类号：	H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司：	31300 上海华诚知识产权代理有限公司	代理人：	徐颖聪
地址：	230031 安徽***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本实用新型涉及电池片，该电池片包括硅片，所述硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，所述硅片的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层、掺杂的多晶硅薄膜层以及金属电极，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度，所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。根据本实用新型实施例的电池片，降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，从而提高了该电池片的开路电压和短路电流，进而提升了该电池片的性能。
搜索关键词：	电池片硅片多晶硅薄膜层掺杂的抛光区域本实用新型钝化介质层金属电极非抛光背光短路电流金属接触开路电压区域对应依次设置背光面受光面受光复合吸收
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【主权项】：

1.一种电池片(10)，其特征在于，包括硅片(20)，所述硅片(20)的受光面和/或背光面包括抛光区域(21)和非抛光区域(22)，所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层(30)、掺杂的多晶硅薄膜层(40)以及金属电极(50)，所述硅片(20)的抛光区域(21)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度大于所述非抛光区域(22)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度，所述金属电极(50)与所述硅片(20)的抛光区域(21)相对应。/n

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摘要：本发明的目的在于公开一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；与现有技术相比，通过在前表面采用浮动结(FFE)结构，在前表面形成少子的横向传输通道，降低电池表面少子的复合率，降低了实际制备工艺的难度；在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，可降低电池背面少子复合率，提升开路电压，进而提升电池转换效率，实现本发明的目的。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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