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[实用新型]一种基于纳米结构的激光发射器-CN202023041466.6有效
发明人：黄辉 -专利权人：塞斯奥特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于纳米结构的激光发射器，包括激光器主体以及散热模组，激光器主体通过紧固件连接在散热模组顶部，散热模组包括模组壳体，模组壳体两端分别固定有散热风机，模组壳体底部设置有拱形隔板，两侧散热风机与拱形隔板上侧之间形成散热风道，拱形隔板上表面设置有散热翅片，多个散热翅片平行于散热风道的方向设置且顶部垂直固定于模组壳体顶部；拱形隔板下表面设置有散热管，散热管呈S形弯折设置，模组壳体底部设置有水箱以及水泵，水箱和水泵分别连接至散热管；具有散热效果好，从而提升激光发射器的工作稳定性和使用寿命。
一种基于纳米结构激光发射器

[实用新型]一种基于微纳结构的太阳能电池-CN202023030302.3有效
发明人：黄辉 -专利权人：桑尼道特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于微纳结构的太阳能电池，包括第一电极层，依次层叠于所述第一电极层上的Ge衬底层、第一隧道管、GaAs子单元层、第二隧道管、GaInP子单元层、接触层和第二电极层，所述接触层之间设有减反射膜，所述GaAs子单元的p型层和N型层之间生长有具有InGaAs量子阱点的未掺杂区域。本实用新型结构简单、操作方便、降低劳动强度、提高工作效率。
一种基于结构太阳能电池

[实用新型]一种基于微纳结构的太阳能电池背板-CN202023037100.1有效
发明人：黄辉 -专利权人：桑尼道特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于微纳结构的太阳能电池背板，涉及太阳能电池技术领域，包括电池板与背板，所述电池板一侧设有所述背板，所述背板一侧设有防水层，所述防水层一侧设有阻燃胶层，所述阻燃胶层一侧设有聚酰胺阻隔层，所述聚酰胺阻隔层一侧设有耐水解层，所述耐水解层一侧设有绝缘层，所述绝缘层一侧设有加强层，所述加强层一侧设有涤纶树脂层，所述涤纶树脂层一侧设有ETFE材料层；所述ETFE材料层一侧设有散热层，所述散热层内壁设有至少一个引流杆，所述引流杆上设有第二螺旋引流片，所述引流杆之间设有散热体，所述散热体内设有隔层，所述隔层上方设有导热圆台。本实用新型结构稳定，实用性高。
一种基于结构太阳能电池背板

[实用新型]一种基于纳米结构的传感器-CN202023044673.7有效
发明人：黄辉 -专利权人：塞斯奥特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：一种基于纳米结构的传感器，包括安装壳，所述安装壳侧边设有壳体固定耳且所述安装壳顶部设有安装开口，所述壳体固定耳上设有保护壳，所述保护壳设有固定机构，安装板嵌在所述安装壳内，所述安装板上设有伸缩杆，所述伸缩杆套接有减震弹簧且所述伸缩杆上设有支撑板，所述支撑板承载传感器主体，所述支撑板设有滑杆，所述支撑板上设有限位滑块，所述限位滑块上嵌有滑动压块，所述滑杆穿过所述滑动压块的底端，所述安装壳的侧面穿有连杆，所述连杆的内端连接所述限位滑块，所述连杆在所述安装壳内的部分套接有第一复位弹簧，所述连杆的外端设有定位块。本实用新型通过滑动压块将传感器主体压住，限位滑动连接的连杆便于移动滑动压块方便安装。
一种基于纳米结构传感器

[发明专利]组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法-CN201911171973.0在审
发明人：弗拉基米尔·杜布罗夫斯基;维克多·乌斯季诺夫;黄辉 -专利权人：塞斯奥特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法，该方法通过抑制外延生长过程中三元III‑V和III‑N纳米结构中体积混溶隙实现。通过本发明的方法可以获得任意组分x的InxGa1‑xAs或InxGa1‑xN纳米结构。这种方法实现了在三元InxGa1‑xAs和InxGa1‑xN材料纳米线组分x从0.1到0.8变化范围的特定实例，利用金属‑有机气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)技术在金属催化剂作用下，通过气‑液‑固或气‑固‑固方法生长。
组分可调三元 ingaas ingan 材料纳米外延生长方法

[发明专利]一种具有多层量子媒介的光伏转换器-CN201910674658.3在审
发明人：阿列克谢·朱可夫;米哈伊尔·马克西莫夫;阿列克谢·纳多奇伊;尼古拉·卡卢日尼;谢尔盖·明塔洛夫 -专利权人：桑尼道特(南京)电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明中的光伏转换器由一种层数被优化过的多层量子介质组成，这种介质包括若干层由厚度被优化过的间隔层隔开的量子点阱复合半导体堆栈结构。优化间隔层的厚度，可使光生电压和光生光电流均增加20％。本发明中的具有多层量子介质的光伏转换器包括半导体衬底11，其上依次为以下层：未掺杂的半导体层13，以及p型掺杂的半导体发射层16。其中，未掺杂半导体层13包含由一系列的量子点阱层14和间隔层15组成的多层量子介质。由于优化了间隔层15的厚度，使其处在35‑45nm的范围内，光伏转换器的光电流和电压均增加20％。
间隔层转换器量子介质多层光伏光电流量子点优化半导体未掺杂半导体层复合半导体半导体层堆栈结构光生电压发射层未掺杂衬底隔开种层阱层

[发明专利]半导体光电换能器的有源区及其形成方法-CN201910674671.9在审
发明人：阿列克谢·朱可夫;米哈伊尔·马克西莫夫;阿列克谢·纳多奇伊;尼古拉·卡卢日尼;谢尔盖·明塔洛夫 -专利权人：桑尼道特(南京)电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种优化半导体光电换能器有源区特性的方法，其特征是：1.所述有源区包含多层堆栈结构；2.每层结构包含了“量子点——量子阱”复合结构(以下简称“量子点阱”结构)以及薄覆盖层；3.该薄覆盖层用于保护量子点阱结构，使其在外延生长过程中不会劣化。所述劣化现象包括(但不限于)表面团聚、原子扩散、以及原子互混。所述量子点阱结构包括(但不限于)形状、尺寸、以及化学成分。本发明使得利用现有外延生长技术，制备多层、均一的量子点阱结构(超过25层)成为可能。作为一个实例，InGaAs材料可用于形成量子点阱结构，AlAs材料可用作薄覆盖层。
量子点阱结构薄覆盖层多层可用劣化源区外延生长过程外延生长技术光电换能器堆栈结构复合结构原子扩散层结构量子阱均一制备半导体团聚优化

[发明专利]具有波长选择功能的单片集成分段式波导光电探测器-CN201910674672.3在审
发明人：米哈伊尔·马克西莫夫;阿列克谢·朱可夫;亚历克赛·纳多奇伊;尼基塔·戈尔迪夫 -专利权人：桑尼道特(南京)电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种单片半导体波导光电探测器中存在两个转换器。每个转换器的吸光区域由多个量子阱层或多个量子点层构成。每个转换器中的带隙是通过相互混合而独立调节的，相应的其吸收边缘不同与另一个转换器。本文提出的基于双转换器等的半导体波导光探测器可用于测量入射光波长的位移。
转换器波导光电探测器半导体波导单片半导体入射光波长独立调节光探测器量子点层量子阱层双转换器吸光区域带隙可用测量吸收

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