[实用新型]一种应用于快速充电的GaN功率器件

摘要

本实用新型公开了一种应用于快速充电的GaN功率器件，包括基板，基板的上侧壁固定安装有氮化镓芯片，引脚与基板或氮化镓芯片之间固定连接有金属导线，金属导线的外侧壁套接有导热硅胶管，导热硅胶管的外侧壁固定安装有导热环，封装体的上侧壁固定安装有散热装置，本实用新型通过金属导线、导热硅胶管、导热环、第一导热杆、金属板和散热装置的结构，能够将金属导线处的热量从金属板和散热装置两处散出，且经过隔板、导热硅胶板和第二导热杆处的结构，能够保证引脚处产生的热量的大部分能够直接导走，不会对金属导线处造成较大影响，最终令金属导线处不会出现较高温度，进而保证金属导线及整个装置能够正常工作。

主权项

1.一种应用于快速充电的GaN功率器件，其特征在于：包括基板(1)，所述基板(1)的上侧壁固定安装有氮化镓芯片(2)，所述基板(1)的下侧壁固定安装有金属板(3)，所述金属板(3)的上侧壁固定安装有封装体(4)，且基板(1)和氮化镓芯片(2)均位于封装体(4)内，所述封装体(4)的左侧壁嵌入有引脚(5)，所述引脚(5)与基板(1)或氮化镓芯片(2)之间固定连接有金属导线(6)，所述金属导线(6)的外侧壁套接有导热硅胶管(7)，所述导热硅胶管(7)的外侧壁固定安装有导热环(8)，所述导热环(8)的外侧壁上下对称固定安装有第一导热杆(9)，下侧所述第一导热杆(9)的下端贴合于金属板(3)，所述封装体(4)的上侧壁固定安装有散热装置(10)，上侧所述第一导热杆(9)的上端贴于散热装置(10)。