[实用新型]一种应用于快速充电的GaN功率器件

说明书

本实用新型公开了一种应用于快速充电的GaN功率器件，包括基板，基板的上侧壁固定安装有氮化镓芯片，引脚与基板或氮化镓芯片之间固定连接有金属导线，金属导线的外侧壁套接有导热硅胶管，导热硅胶管的外侧壁固定安装有导热环，封装体的上侧壁固定安装有散热装置，本实用新型通过金属导线、导热硅胶管、导热环、第一导热杆、金属板和散热装置的结构，能够将金属导线处的热量从金属板和散热装置两处散出，且经过隔板、导热硅胶板和第二导热杆处的结构，能够保证引脚处产生的热量的大部分能够直接导走，不会对金属导线处造成较大影响，最终令金属导线处不会出现较高温度，进而保证金属导线及整个装置能够正常工作。

技术领域

本实用新型涉及功率器件技术领域，具体为一种应用于快速充电的GaN功率器件。

背景技术

对于充电常用的功率器件就是三极管，其主要用于功率开关管，即能承受较大电流，漏电流较小，在一定条件下有较好饱和导通及截止特性的三极管，而若是用于快速充电，则其通过的电流相对较大，因此会令其产生较多的热量，现有的三极管均会装有相应的散热部，但其主要是对于基板及芯片进行散热，而引脚与基板及芯片连接时通常使用金属导线实现连接，因此其在工作中，引脚及金属导线处的热量会出现散出不及时的情况，特别对于金属导线处，承受高温较长时间，会令其烧断，进而令此功率器件失效，如果能够设计一种对引脚与基板及芯片之间连接用的金属导线进行有效散热的功率器件，就可以解决此类问题，为此，我们提出一种应用于快速充电的GaN功率器件。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种应用于快速充电的GaN功率器件，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种应用于快速充电的GaN功率器件，包括基板，所述基板的上侧壁固定安装有氮化镓芯片，所述基板的下侧壁固定安装有金属板，所述金属板的上侧壁固定安装有封装体，且基板和氮化镓芯片均位于封装体内，所述封装体的左侧壁嵌入有引脚，所述引脚与基板或氮化镓芯片之间固定连接有金属导线，所述金属导线的外侧壁套接有导热硅胶管，所述导热硅胶管的外侧壁固定安装有导热环，所述导热环的外侧壁上下对称固定安装有第一导热杆，下侧所述第一导热杆的下端贴合于金属板，所述封装体的上侧壁固定安装有散热装置，上侧所述第一导热杆的上端贴于散热装置。

优选的，所述散热装置包括散热板，且散热板固定安装于封装体的上侧壁，所述散热板的上侧壁均匀开设有散热通槽。

优选的，所述导热环的左侧壁固定安装有隔板，所述隔板的左侧壁开设有卡槽，且引脚的右端卡接于卡槽内，所述封装体的左侧壁固定安装有塑料板，所述塑料板与隔板之间固定安装有导热硅胶板，且导热硅胶板固定安装于引脚的上侧壁，所述导热硅胶板的上侧壁固定安装有第二导热杆，且第二导热杆的上端贴合于散热装置。

优选的，所述金属板的上侧壁右侧开设有通孔，所述金属板的上侧壁右侧固定安装有橡胶环，且橡胶环的内腔与通孔同轴且相连通。

优选的，所述基板与金属板之间涂有导热环氧树脂层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过金属导线、导热硅胶管、导热环、第一导热杆、金属板和散热装置的结构，能够将金属导线处的热量从金属板和散热装置两处散出，且经过隔板、导热硅胶板和第二导热杆处的结构，能够保证引脚处产生的热量的大部分能够直接导走，不会对金属导线处造成较大影响，最终令金属导线处不会出现较高温度，进而保证金属导线及整个装置能够正常工作。

附图说明

图1为本实用新型的主视图剖视图。

图中：1、基板，2、氮化镓芯片，3、金属板，4、封装体，5、引脚，6、金属导线，7、导热硅胶管，8、导热环，9、第一导热杆，10、散热装置，10-1、散热板，10-2、散热通槽，11、隔板，12、卡槽，13、导热硅胶板，14、第二导热杆，15、塑料板，16、通孔，17、橡胶环，18、导热环氧树脂层。