[实用新型]一种应用于快速充电的GaN功率器件有效
| 申请号： | 201920241611.3 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209344063U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 白欣娇;崔素杭;李帅 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 周大伟 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属导线 导热硅胶 散热装置 基板 本实用新型 氮化镓芯片 快速充电 导热杆 导热环 金属板 上侧壁 外侧壁 隔板 导热硅胶板 大影响 封装体 引脚处 套接 引脚 应用 保证 | ||
1.一种应用于快速充电的GaN功率器件，其特征在于：包括基板(1)，所述基板(1)的上侧壁固定安装有氮化镓芯片(2)，所述基板(1)的下侧壁固定安装有金属板(3)，所述金属板(3)的上侧壁固定安装有封装体(4)，且基板(1)和氮化镓芯片(2)均位于封装体(4)内，所述封装体(4)的左侧壁嵌入有引脚(5)，所述引脚(5)与基板(1)或氮化镓芯片(2)之间固定连接有金属导线(6)，所述金属导线(6)的外侧壁套接有导热硅胶管(7)，所述导热硅胶管(7)的外侧壁固定安装有导热环(8)，所述导热环(8)的外侧壁上下对称固定安装有第一导热杆(9)，下侧所述第一导热杆(9)的下端贴合于金属板(3)，所述封装体(4)的上侧壁固定安装有散热装置(10)，上侧所述第一导热杆(9)的上端贴于散热装置(10)。
2.根据权利要求1所述的一种应用于快速充电的GaN功率器件，其特征在于：所述散热装置(10)包括散热板(10-1)，且散热板(10-1)固定安装于封装体(4)的上侧壁，所述散热板(10-1)的上侧壁均匀开设有散热通槽(10-2)。
3.根据权利要求1所述的一种应用于快速充电的GaN功率器件，其特征在于：所述导热环(8)的左侧壁固定安装有隔板(11)，所述隔板(11)的左侧壁开设有卡槽(12)，且引脚(5)的右端卡接于卡槽(12)内，所述封装体(4)的左侧壁固定安装有塑料板(15)，所述塑料板(15)与隔板(11)之间固定安装有导热硅胶板(13)，且导热硅胶板(13)固定安装于引脚(5)的上侧壁，所述导热硅胶板(13)的上侧壁固定安装有第二导热杆(14)，且第二导热杆(14)的上端贴合于散热装置(10)。
4.根据权利要求1所述的一种应用于快速充电的GaN功率器件，其特征在于：所述金属板(3)的上侧壁右侧开设有通孔(16)，所述金属板(3)的上侧壁右侧固定安装有橡胶环(17)，且橡胶环(17)的内腔与通孔(16)同轴且相连通。
5.根据权利要求1所述的一种应用于快速充电的GaN功率器件，其特征在于：所述基板(1)与金属板(3)之间涂有导热环氧树脂层(18)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同辉电子科技股份有限公司，未经同辉电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920241611.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种GaN-mode功率器件结构
- 下一篇：一种组合低熔点合金的相变散热结构
