[发明专利]具有布线结构的半导体存储器装置在审
| 申请号: | 201911227118.7 | 申请日: | 2019-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN111755459A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
| 发明(设计)人: | 吴星来;金镇浩;成象铉;金映奇;田炳现 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 具有布线结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括:基板,其具有在第一方向上延伸的第二区域;存储块,其包括电极;狭缝,其在第二区域中将存储块划分成第一电极结构和第二电极结构;以及阶梯形凹槽,其在第二区域中形成在存储块中并被所述狭缝划分。在第二区域中,第一电极结构和第二电极结构在与第一方向交叉的第二方向上相邻设置并且其间插置有所述狭缝。第一电极结构的各个电极具有第一焊盘区域,第二电极结构的各个电极具有第二焊盘区域,并且位于相同阶梯形凹槽中并设置在相同层的第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域在第二方向上相邻设置并且其间插置有狭缝。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 布线 结构 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





