[发明专利]具有布线结构的半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 201911227118.7 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN111755459A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 吴星来;金镇浩;成象铉;金映奇;田炳现 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 具有布线结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括:基板,其具有在第一方向上延伸的第二区域;存储块,其包括电极;狭缝,其在第二区域中将存储块划分成第一电极结构和第二电极结构;以及阶梯形凹槽,其在第二区域中形成在存储块中并被所述狭缝划分。在第二区域中,第一电极结构和第二电极结构在与第一方向交叉的第二方向上相邻设置并且其间插置有所述狭缝。第一电极结构的各个电极具有第一焊盘区域,第二电极结构的各个电极具有第二焊盘区域,并且位于相同阶梯形凹槽中并设置在相同层的第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域在第二方向上相邻设置并且其间插置有狭缝。
搜索关键词: 具有 布线 结构 半导体 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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