[发明专利]具有布线结构的半导体存储器装置

说明书

具有布线结构的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：基板，其具有在第一方向上延伸的第二区域；存储块，其包括电极；狭缝，其在第二区域中将存储块划分成第一电极结构和第二电极结构；以及阶梯形凹槽，其在第二区域中形成在存储块中并被所述狭缝划分。在第二区域中，第一电极结构和第二电极结构在与第一方向交叉的第二方向上相邻设置并且其间插置有所述狭缝。第一电极结构的各个电极具有第一焊盘区域，第二电极结构的各个电极具有第二焊盘区域，并且位于相同阶梯形凹槽中并设置在相同层的第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域在第二方向上相邻设置并且其间插置有狭缝。

技术领域

本发明的各种实施方式总体上涉及三维结构的半导体存储器装置，更具体地，涉及一种具有改进的布线结构的三维结构的半导体存储器装置。

背景技术

通常，随着半导体存储器装置趋向于更大的容量和更高的集成度，包括在半导体存储器装置中的用于半导体存储器装置的操作和电耦合的所需布线的数量增加。另外，布线的结构变得更复杂。同时，为布线的布局分配的面积减小。因此，简化半导体存储器装置中所采用的布线的结构并减小布线所占据的面积将高度可取。

发明内容

本发明在其最广泛的方面涉及一种具有改进的布线结构的三维结构的半导体存储器装置。改进的布线结构的一个优点在于，其减小了布线结构所需的面积，因此允许半导体装置的更多面积用于存储数据。在实施方式中，一种半导体存储器装置可包括：第一基板，其包括沿着第一方向彼此相邻依次相邻布置的第一区域、第二区域和第三区域；存储块，其包括交替地层叠在第一基板上方的多个电极和层间介电层；狭缝，其在第二区域中将存储块划分为第一电极结构和第二电极结构；以及多个阶梯形凹槽，其在第二区域中形成至存储块中的不同深度，所述多个阶梯形凹槽通过所述狭缝划分。第一电极结构和第二电极结构可在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置并且所述狭缝插置在所述第一电极结构和所述第二电极结构之间。第一电极结构的各个电极可在任一个阶梯形凹槽中具有通过位于其上的另一电极暴露的第一焊盘区域，第二电极结构的各个电极可在任一个阶梯形凹槽中具有通过位于其上的另一电极暴露的第二焊盘区域，并且位于相同阶梯形凹槽中并设置在相同层的第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域可在第二方向上彼此相邻设置并且所述狭缝插置在第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域之间。

该半导体存储器装置还可包括多条布线，所述多条布线共同联接到设置在存储块中的上部位置并设置在相同层的第一焊盘区域和第二焊盘区域。所述布线可设置在存储块在第二方向上的宽度内。

在实施方式中，一种半导体存储器装置可包括：第一基板，其限定有第一区域、在第一方向上从第一区域延伸的第二区域以及在第一方向上从第二区域延伸的第三区域；第一存储块和第二存储块，其各自包括交替地层叠在第一基板上方的多个电极和多个层间介电层，并且第一存储块和第二存储块在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置并且第一狭缝插置在第一存储块和第二存储块之间；第二狭缝，其将第一存储块和第二存储块中的每一个划分为第一电极结构和第二电极结构；以及多个阶梯形凹槽，其在第二区域中形成至第一存储块和第二存储块中的不同深度，并且通过第一狭缝和第二狭缝划分。在第二区域中，第一电极结构和第二电极结构可在第二方向上彼此相邻设置并且第二狭缝插置在第一电极结构和第二电极结构之间。第一电极结构的各个电极可在任一个阶梯形凹槽中具有通过位于其上的另一电极暴露的第一焊盘区域，并且第二电极结构的各个电极可在任一个阶梯形凹槽中具有通过位于其上的另一电极暴露的第二焊盘区域。位于相同阶梯形凹槽中并设置在相同层的第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域可在第二方向上彼此相邻设置并且第二狭缝插置在第一电极结构的第一焊盘区域和第二电极结构的第二焊盘区域之间。