[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 201911211808.3 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112992854A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 施健 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括基底、栅极结构、源极/漏极区、接触开孔、蚀刻停止层、层间介电层与第一接触结构。基底包括埋入式绝缘层、半导体层与隔离结构。半导体层设置于埋入式绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。隔离结构与源极/漏极区设置于半导体层中。接触开孔穿过基底的至少一部分。蚀刻停止层设置于栅极结构、源极/漏极区、接触开孔的侧壁以及接触开孔的底部上。层间介电层设置于蚀刻停止层上。第一接触结构贯穿接触开孔中的层间介电层与蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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