[发明专利]具有防开裂结构的半导体装置有效
| 申请号： | 201911184053.2 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384029B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 全炫锡;杨胜伟;S·U·阿里芬 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有防开裂结构的半导体装置。本文揭示了具有包含防开裂结构的金属化结构的半导体装置以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体装置包含形成于半导体衬底上方的金属化结构。所述金属化结构可包含经由一或多个导电材料层电耦合到所述半导体衬底的结合衬垫，以及至少部分地在所述导电材料周围的绝缘材料，例如低κ电介质材料。所述金属化结构可进一步包含定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述半导体衬底之间的防开裂结构。所述防开裂结构可包含从所述结合衬垫朝向所述半导体衬底竖直延伸且经配置以防止裂缝传播通过所述绝缘材料的障壁部件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 开裂 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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