[发明专利]具有防开裂结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其包含电路元件；以及

金属化结构，其在所述衬底上方，其中所述金属化结构包含

绝缘材料；

结合衬垫，其从所述绝缘材料暴露且电耦合到所述电路元件中的至少一个；以及

防开裂结构，其定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述衬底之间，其中所述防开裂结构包含(a)平行于所述结合衬垫延伸的金属层，和(b)在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的障壁部件，且其中所述结合衬垫经由不包括所述防开裂结构的电路径电耦合到所述电路元件中的所述至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述防开裂结构未电耦合到所述电路元件中的任一者。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件是形成第一环的第一障壁部件，且其中所述防开裂结构还包含形成与所述第一环同心的第二环的第二障壁部件。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中

所述结合衬垫经配置以附接到导电支柱，

当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第一环定位于所述导电支柱的占据面积外部，且

当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第二环定位于所述导电支柱的占据面积内部。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括所述导电支柱。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述障壁部件是第一障壁部件，

所述防开裂结构还包含第二障壁部件，

所述结合衬垫经配置以附接到导电支柱，

当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第一障壁部件完全定位于所述导电支柱的占据面积外部，且

当所述结合衬垫附接到所述导电支柱时，所述第二障壁部件完全定位于所述导电支柱的占据面积内部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的多个柱。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括在所述金属层与所述结合衬垫之间延伸的多个细长部分。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述障壁部件包括钨。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述金属层包括选自由铜和铝组成的群组的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘材料包括低κ电介质材料。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述结合衬垫未经由在所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述衬底之间竖直延伸的导电结构电耦合到所述至少一个电路元件。

13.一种半导体封装，其包括：

封装衬底；

半导体裸片，其包含形成于半导体衬底上方的金属化结构，其中所述金属化结构包含(a)电耦合到所述半导体衬底的结合衬垫，和(b)定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述半导体衬底之间的防开裂结构；以及

导电互连件，其将所述封装衬底电耦合到所述结合衬垫中的对应者，其中

所述防开裂特征中的个别者包含第一障壁部件和第二障壁部件，

所述第一障壁部件横向定位于所述导电互连件中的对应一者的占据面积外部，

所述第二障壁部件横向定位于所述导电互连件中的所述对应一者的所述占据面积内部；且

所述结合衬垫经由不包括所述防开裂结构的电路径电耦合到所述半导体衬底。

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述防开裂结构未电耦合到所述半导体衬底。