[发明专利]反熔丝结构及其制备方法、可编程存储器在审
| 申请号： | 201911166606.1 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112838071A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种反熔丝结构及其制备方法以及包括该反熔丝结构的可编辑存储器。该反熔丝结构包括：第一掺杂区和至少部分形成于第一掺杂区内的第二掺杂区；隔离层，形成于第一掺杂区和部分第二掺杂区上，隔离层具有暴露第二掺杂区的窗口；栅极结构，包括叠设的熔丝介质层和栅导电层，熔丝介质层通过窗口与第二掺杂区接触；第一电极，与栅导电层接触；第二电极，依次穿透栅极结构和隔离层并与第二掺杂区接触，第二电极和栅极结构之间通过隔离垫片电隔离。通过将第二掺杂区设于栅极结构下方并使第二电极贯穿栅极结构以与第二掺杂区接触，可以减小反熔丝结构的占据面积，提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 结构 及其 制备 方法 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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