[发明专利]反熔丝结构及其制备方法、可编程存储器

权利要求书

1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：

第一掺杂区，具有第一导电类型，形成于半导体衬底内；

第二掺杂区，具有第二导电类型，至少部分形成于所述第一掺杂区内；

隔离层，形成于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上，所述隔离层具有暴露所述第二掺杂区的窗口；

栅极结构，包括熔丝介质层和叠设于熔丝介质层上的栅导电层，所述熔丝介质层通过所述窗口与所述第二掺杂区接触；

第一电极，与所述栅导电层接触；以及

第二电极，依次穿透所述栅极结构和所述隔离层并与所述第二掺杂区接触，所述第二电极和所述栅极结构之间通过隔离垫片电隔离。

2.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二掺杂区包括形成于所述第一掺杂区内的底臂和自所述底臂向上延伸的凸臂，所述隔离层覆盖于所述第一掺杂区和位于所述凸臂两侧的所述底臂上，所述窗口暴露出所述凸臂，所述熔丝介质层与所述凸臂接触。

3.如权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二掺杂区的侧剖面呈L型。

4.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述栅极结构两侧还形成有隔离侧墙。

5.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，还包括：

钝化层，覆盖于所述栅极结构上；所述第一电极穿透所述钝化层并与所述栅导电层接触，所述第二电极依次穿透所述钝化层、所述栅极结构和所述隔离层并与所述第二掺杂区接触。

6.如权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述隔离垫片依次穿透所述钝化层、所述栅导电层且所述隔离垫片的底部与所述熔丝介质层接触。

7.如权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，所述隔离垫片依次穿透所述钝化层和所述栅极结构且所述隔离垫片的底部与所述隔离层接触。

8.如权利要求1～7任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述熔丝介质层为氧化层。

9.如权利要求8所述的反熔丝结构，其特征在于，所述栅导电层包括依次叠设于所述熔丝介质层上的多晶硅层和金属层，所述第一电极的底部与所述金属层接触。

10.一种反熔丝结构的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A：对半导体衬底分别进行第一导电类型掺杂和第二导电类型掺杂，在半导体衬底内形成具有第一导电类型的第一掺杂区和具有第二导电类型的第二掺杂区，且至少部分所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区内；

步骤B：在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上形成隔离层，所述隔离层具有暴露所述第二掺杂区的窗口；

步骤C：在所述隔离层上形成栅极结构，所述栅极结构包括熔丝介质层和叠设于所述熔丝介质层上的栅导电层，所述熔丝介质层通过所述窗口与所述第二掺杂区接触；以及

步骤D：分别形成与所述栅导电层接触的第一电极以及形成依次穿透所述栅极结构和所述隔离层并与所述第二掺杂区接触的第二电极，并形成使所述第二电极和所述栅极结构电隔离的隔离垫片。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在步骤C之后，以及在步骤D之前，还包括：

在所述栅极结构上形成钝化层；

所述步骤D包括：

通过刻蚀工艺分别形成穿透所述钝化层并延伸至所述栅导电层的第一沟槽、以及形成依次穿透所述钝化层、所述栅极结构和所述隔离层并延伸至所述第二掺杂区的第二沟槽，在所述第二沟槽的至少部分侧壁上形成覆盖所述栅导电层的隔离垫片，对所述第一沟槽和所述第二沟槽进行填充，对应形成第一电极和第二电极。