[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使栅金属层形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使第一半导体层和第二半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通。本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；/n依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述第一半导体层和所述第二半导体层形成有源岛，同时所述源漏金属层形成源极、漏极，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层形成位于所述源极与所述第二半导体层之间的双层阻挡层以及位于所述漏极与所述第二半导体层之间的双层阻挡层；/n沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；/n沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通。/n