[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使栅金属层形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使第一半导体层和第二半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极；沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在漏极上方的钝化层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通。本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术提供的阵列基板的制造方法包括六次光刻工艺，包括：第一步：在玻璃衬底基板上沉积金属层，进行第一次光刻，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻，以形成有源岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。

上述现有技术提供的六次光刻工艺，工艺复杂，制作成本高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，仅需四次光刻工艺即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

本发明一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；

依次沉积栅极绝缘层、第一半导体层、第二半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述第一半导体层和所述第二半导体层形成有源岛，同时所述源漏金属层形成源极、漏极，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层形成位于所述源极与所述第二半导体层之间的双层阻挡层以及位于所述漏极与所述第二半导体层之间的双层阻挡层；

沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；

沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通。

如上所述的制作方法，所述第二次光刻工艺包括一次灰色调掩膜版工艺或半色调掩膜版工艺。

如上所述的制作方法，所述第二次光刻工艺具体包括：

通过掩膜版曝光显影，形成完全透光区域、部分透光区域和不透光区域，所述不透光区域对应于所述源极和所述漏极，所述部分透光区域对应于位于所述源极和所述漏极之间的沟道区，所述完全透光区域对应于除所述部分透光区域和所述不透光区域之外的区域；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域的所述源漏金属层、所述第二阻挡层、所述第一阻挡层、所述第二半导体层和所述第一半导体层；

进行一次光刻灰化工艺，去除掉部分透光区域的光刻胶；进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域内的所述源漏金属层、所述第二阻挡层和所述第一阻挡层，以形成所述沟道区；