[发明专利]一种适用于高压功率器件模块封装的DBC结构在审
| 申请号： | 201910879279.8 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110491857A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;陈宇;朱超群 | 申请（专利权）人： | 深圳爱仕特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 44632 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 霍如肖<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于高压功率器件模块封装的DBC结构，包括中陶瓷绝缘层，所述中陶瓷绝缘层的两侧分别设置有上铜层和下铜层，所述上铜层上设置有耐高温绝缘介质层。本发明在进行芯片与DBC焊接时，芯片被固定在DBC上铜层的凹面内部，芯片位置将不再会出现偏移，提高芯片贴片的良率以及整个工艺过程的成品率以及最终产品的可靠性，采用本DBC结构在进行模块封装，在封装工艺后都可以进行高压测试，提前发现不良产品，提前处理，降低封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 铜层 陶瓷绝缘层 模块封装 芯片 高压功率器件 绝缘介质层 不良产品 封装工艺 高压测试 工艺过程 芯片位置 偏移 成品率 耐高温 下铜层 凹面 良率 贴片 封装 焊接 发现 | ||
【主权项】：
1.一种适用于高压功率器件模块封装的DBC结构，包括中陶瓷绝缘层(2)，其特征在于：所述中陶瓷绝缘层(2)的两侧分别设置有上铜层(1)和下铜层(3)，所述上铜层(1)上设置有耐高温绝缘介质层(5)。/n
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