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[发明专利]利用四次光刻工艺制作四层铜结构液晶盒及其制备方法-CN202110201696.4在审
发明人：权建华;周小军;周学秀;蒋丽 -专利权人：南京华日触控显示科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明涉及一种四次光刻工艺制作四层铜结构液晶盒及其制备方法，其结构包括上玻璃基板、框胶、下玻璃基板、下玻璃上铜层、液晶相层、下配向膜、下玻璃下铜层、上玻璃上铜层、上配向膜、上玻璃下铜层，所述上玻璃基板和下玻璃基板通过框胶固定成玻璃液晶盒，上玻璃基板上是上玻璃上铜层，上玻璃基板下是上玻璃下铜层，下玻璃基板上是下玻璃上铜层，下玻璃基板下是下玻璃下铜层，上玻璃下铜层和下玻璃上铜层分别涂布有上配向膜和下配向膜，所述上配向膜与下配向膜之间是液晶相层优点：适用于射频电子的组成器件，由于液晶通过铜层能够被精确的控制，所以使射频器件的电信号更准确，辐射面更广。
利用四次光刻工艺制作四层铜结构液晶及其制备方法

[实用新型]一种四层铜结构液晶盒-CN202120397300.3有效
发明人：权建华;周小军;周学秀;蒋丽 -专利权人：南京华日触控显示科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种四层铜结构液晶盒，其结构包括上玻璃基板、框胶、下玻璃基板、下玻璃上铜层、液晶相层、下配向膜、下玻璃下铜层、上玻璃上铜层、上配向膜、上玻璃下铜层，所述上玻璃基板和下玻璃基板通过框胶固定成玻璃液晶盒，上玻璃基板上是上玻璃上铜层，上玻璃基板下是上玻璃下铜层，下玻璃基板上是下玻璃上铜层，下玻璃基板下是下玻璃下铜层，上玻璃下铜层和下玻璃上铜层分别涂布有上配向膜和下配向膜，所述上配向膜与下配向膜之间是液晶相层优点：适用于射频电子的组成器件，由于液晶通过铜层能够被精确的控制，所以使射频器件的电信号更准确，辐射面更广。
一种四层铜结构液晶

[发明专利]一种柔性电路板联板结构-CN201711366623.0在审
发明人：林汉良 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电路板联板结构，包括从上到下依次设置并两端对齐的上覆盖膜、上铜层、PI基层、下铜层和下覆盖膜，PI基层设置有连接点切断线，上铜层包括位于连接点切断线两侧距离小于等于0.1mm的左上铜层、第一右上铜层和第二右上铜层，下铜层包括与上铜层结构上下对应，设置在PI基层的上下表面对应的开窗区包括左上铜层与第一右上铜层之间及其上部的区域以及上覆盖膜上位于左上铜层右端起始的部分区域应，还包括设置在上表面上覆盖膜到左上铜层的上EMI层和设置在下覆盖膜下表面、下开窗口的下EMI层，下EMI层进入相邻的补强板内。通过采用上下层铜层和上下层覆盖膜避开连接点切断线结构，非元件面的下EMI层进入补强板内，满足客户需要。
一种柔性电路板板结

[实用新型]双铜层高效散热覆铜铝基板-CN201822274063.2有效
发明人：桂千澈 -专利权人：惠州市煜鑫达科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种双铜层高效散热覆铜铝基板包括覆铜板主体及导热组件。覆铜板主体包括上导电铜层、绝缘隔层及下导电铜层，上导电铜层及下导电铜层分别设置在绝缘隔层的两侧，上导电铜层上设置有上蚀刻电路布线区，下导电铜层设置有下蚀刻电路布线区，绝缘隔层上开设有多个导通过孔，导通过孔的内侧壁上设置有过孔壁镀铜层，过孔壁镀铜层用于连通上蚀刻电路布线区及下蚀刻电路布线区。导热组件包括导热绝缘胶层及导热铝基板，改善覆铜板的结构，覆铜板主体上设置有上导电铜层及下导电铜层，两者均可用于排布电路，且上导电铜层及下导电铜层之间相互导通，提高覆铜板单位面积内可排布电路的上限，提高覆铜板上的空间利用率
导电铜层覆铜板蚀刻电路布线绝缘隔层导热组件镀铜层通过孔孔壁排布电路导热绝缘胶层导热铝基板覆铜铝基板空间利用率电路板高效散热内侧壁导通可用铜层连通

[实用新型]陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板-CN202020341028.2有效
发明人：徐正保;刘勇 -专利权人：浙江万正电子科技有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：一种陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板，包括上双面镀铜板、下双面镀铜板及粘结片；粘结片位于上双面镀铜板与下双面镀铜板之间；上双面镀铜板包括上基材层、设置于上基材层顶面的第一铜层、设置于上基材层底面的第二铜层；下双面镀铜板包括下基材层、设置于下基材层顶面的第三铜层、设置于下基材层底面的第四铜层；第一铜层、第二铜层、第三铜层及第四铜层上均设置有线路。
陶瓷填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板

[发明专利]陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板-CN202010189144.1在审
发明人：徐正保;刘勇 -专利权人：浙江万正电子科技有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：一种陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板，包括上双面镀铜板、下双面镀铜板及粘结片；粘结片位于上双面镀铜板与下双面镀铜板之间；上双面镀铜板包括上基材层、设置于上基材层顶面的第一铜层、设置于上基材层底面的第二铜层；下双面镀铜板包括下基材层、设置于下基材层顶面的第三铜层、设置于下基材层底面的第四铜层；第一铜层、第二铜层、第三铜层及第四铜层上均设置有线路；上基材层及下基材层均为陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布，粘结片为环氧树脂玻璃布粘结片
陶瓷填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板

[实用新型]一种针对高压碳化硅功率模块的覆铜陶瓷板-CN202120821946.X有效
发明人：尚海;梁琳;颜辉;陈雪筠 -专利权人：常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明涉及封装技术领域，特别是一种针对高压碳化硅功率模块的覆铜陶瓷板，包括自上而下依次连接的上铜层、上陶瓷层、中铜层、下陶瓷层、下铜层，所述上陶瓷层的上表面开有凹槽，凹槽内镶嵌有上铜层，所述下铜层厚度为0.3mm；所述中铜层厚度为0.3mm；所述上铜层厚度为0.3mm，所述上陶瓷层的厚度为0.5mm，所述下陶瓷层的厚度为0.5mm，上陶瓷层、下陶瓷层的材料为氧化铝，采用上述结构后，本实用新型在降低现有功率模块三重点电场强度的同时，将三重点转移，提升了覆铜陶瓷板的绝缘性能。在相同的陶瓷层厚度下，该模块能承受比原先更高的绝缘电压，相比现有的覆铜陶瓷板更适用于碳化硅等高压功率模块场合。
一种针对高压碳化硅功率模块陶瓷

[发明专利]一种柔性电路板联板结构-CN201711364220.2在审
发明人：林汉良 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电路板联板结构，包括从上到下依次设置上EMI层、上覆盖膜、上铜层、PI基层、下铜层、下覆盖膜层和下EMI层，PI基层设置有连接点切断线，上铜层包括位于连接点切断线的两侧距离小于等于0.1mm的左上铜层、第一右上铜层和第二右上铜层，下铜层与上铜层上下对应，左上铜层与第一右上铜层形成上开窗区，下开窗区与上开窗区对应，上EMI层覆盖上覆盖膜。通过采用上下层铜层和上下层覆盖膜按最佳尺寸避开连接点切断线设置，设置上下开窗口和覆盖连接点切断线的上下EMI层，在获得抗电磁干扰的同时，确保撕断连接点成单粒FPC后，连接点突出软性线路板边控制到预设标准以确保达到客户对
铜层连接点切断线覆盖膜柔性电路板开窗区上下层下铜层联板抗电磁干扰软性线路板标准公差尺寸控制从上到下覆盖膜层上下对应依次设置预设标准开窗口下开窗覆盖撕断易撕避开基层外围客户

[实用新型]一种铜铝复合过渡板-CN201621479289.0有效
发明人：范国栋;王项;符会文;符利强 -专利权人：洛阳铜一金属材料发展有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01R11/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铜铝复合过渡板。该铜铝复合过渡板包括用于与铝材相连接的铝端以及用于与铜材相连接的铜铝复合端，所述铜铝复合端包括铝层及分别复合在铝层上、下两侧的上铜复层、下铜复层，上铜复层、下铜复层的靠近所述铝端的端部沿铜铝复合过渡板的长度方向错开设置现有的铜铝复合过渡排，上铜复层、下铜复层在铝层两侧对称设置，容易导致铜铝复合工艺产生的缺陷在铝层两侧对称集中，从而导致产品非常容易断裂，影响铜铝复合过渡排的正常使用。本实用新型的铜铝复合过渡板，铜铝复合工艺产生的缺陷在铝层两侧离散分布，减小缺陷对铝层的影响，提高铜铝复合过渡板的可靠性和安全性，减少断裂的发生。
一种复合过渡

[发明专利]一种柔性电路板联板结构-CN201711365612.0在审
发明人：林汉良 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电路板联板结构，包括从上到下依次设置并两端对齐的上覆盖膜、上铜层、PI基层、下铜层和下覆盖膜层，PI基层设置有连接点切断线，上铜层包括位于连接点切断线两侧距离小于等于0.1mm的左上铜层、第一右上铜层和第二右上铜层，下铜层包括与上铜层结构上下对应，设置在PI基层的上表面的上开窗区和/或下表面的下开窗区，上开窗区包括左上铜层与第一右上铜层之间及其上部的区域以及上覆盖膜上位于左上铜层右端起始的部分区域应，还包括完全覆盖上表面或下表面的EIM层。通过采用上下层铜层和上下层覆盖膜按避开连接点切断线设置上下开窗口，在需要增加抗电磁干扰的一面全部覆盖EIM层，满足客户需要。
铜层覆盖膜连接点切断线柔性电路板开窗区上表面上下层下表面下铜层联板抗电磁干扰从上到下覆盖膜层客户需要两端对齐上下对应依次设置基层开窗口下开窗避开覆盖

[实用新型]一种高导热光源板的焊线结构-CN201720004803.3有效
发明人：项志伟;吕景飞;钟玲祥;李阳 -专利权人：浙江阳光美加照明有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： F21V23/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高导热光源板的焊线结构，其包括一块厚度大于1毫米的双面覆铜绝缘板，双面覆铜绝缘板由一块绝缘板及设置于绝缘板的正面上的上铜层和设置于绝缘板的反面上的下铜层组成，上铜层和下铜层的尺寸大小均小于绝缘板的尺寸大小，上铜层与下铜层导通，下铜层通过回流焊方式与高导热LED‑COB光源板的电极焊接，上铜层通过电烙铁锡焊方式与驱动电源的导线焊接；优点是由于电烙铁锡焊点在上铜层上，而上铜层与下铜层之间间隔有绝缘板，由于绝缘板的导热低，因此焊锡热量难以传至高导热LED‑COB光源板的基板上，从而实现了驱动电源的导线与该双面覆铜绝缘板的良好焊接，最终实现了驱动电源的导线与高导热LED‑COB光源板的电极的可靠连接。
一种导热光源结构

[实用新型]一种柔性电路板联板结构-CN201721798342.8有效
发明人：林汉良 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性电路板联板结构，包括从上到下依次设置并两端对齐的上覆盖膜、上铜层、PI基层、下铜层和下覆盖膜层，PI基层设置有连接点切断线，上铜层包括位于连接点切断线左侧距离小于等于0.1mm的左上铜层和位于连接点切断线右侧的间距均小于等于0.1mm第一右上铜层、第二右上铜层，下铜层包括与上铜层结构上下对应，设置在PI基层的上表面的上开窗区和/或下表面的下开窗区，上开窗区包括左上铜层与第一右上铜层之间及其上部的区域以及上覆盖膜上位于左上铜层右端起始的部分区域应通过采用上下层铜层和上下层覆盖膜避开连接点切断线，设置上下开窗口，使得撕断连接点切断线成单粒FPC后，突出部分控制到最小，使FPC外围控制在标准公差范围。
铜层连接点切断线覆盖膜柔性电路板开窗区上下层下铜层联板本实用新型标准公差从上到下覆盖膜层两端对齐上下对应依次设置基层开窗口上表面下表面下开窗撕断避开外围

[实用新型]一种用于LED封装的陶瓷基座及陶瓷支架-CN201921688968.2有效
发明人：郭玉国;曾祥华;潘桂建;夏昊 -专利权人：江苏固立得半导体器件有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于LED封装的陶瓷基座及陶瓷支架，包括陶瓷本体、导电铜层，陶瓷本体上部的导电铜层包括左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层，在陶瓷本体的下方设置三个下导电铜层，三个下导电铜层与左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层一一对应电连接，在所述的左导电铜层、中导电铜层、右导电铜层上均预制有焊锡块，且左导电铜层和右导电铜层上的焊锡块数量之和与中导电铜层上的焊锡块数量相同。
一种用于 led 封装陶瓷基座支架

[发明专利]一种半桥型功率模块-CN202010923071.4在审
发明人：陈材;吕坚玮;张弛;黄志召;刘新民;康勇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半桥型功率模块，包括：正极铜层、输出极铜层以及负极铜层由上至下附着于所述绝缘基板上表面；上桥臂的上开关管和上二极管交错排列附着于正极铜层，上二极管的阴极焊接在正极铜层，上二极管的阳极通过键合线连接至输出极铜层；上开关管的第一端焊接在正极铜层上，第二端连接至输出极铜层；下桥臂的下开关管和下二极管交错排列于输出极铜层上；下二极管的阴极焊接在输出极铜层上，下二极管的阳极通过键合线连接至负极铜层；下开关管第一端焊接在输出极铜层上，第二端通过键合线连接至负极铜层；二极管芯片上的连接键合线的规格及数量相同，开关管芯片上的连接键合线的规格及数量相同。
一种半桥型功率模块

[发明专利]一种功率半导体模块结构及制备方法-CN202010101352.1在审
发明人：洪思忠;胡羽中 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：该功率半导体模块结构包括：若干个并联设置的芯片、上覆铜基板、下覆铜基板、驱动端子、电极端子、金属块和塑封树脂；所述芯片和驱动端子分别焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述电极端子焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述金属块焊接于所述芯片的表面，其中上桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的左侧铜层连接，所述上覆铜基板的左侧铜层与所述交流输出极连接，其中下桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的右侧铜层连接，所述上覆铜基板的右侧铜层与负极连接；所述上覆铜基板与下覆铜基板之间通过塑封树脂连接。
一种功率半导体模块结构制备方法

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