[发明专利]一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器有效
| 申请号： | 201910802107.0 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110661515B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 赵文祥;黄林森;杜育轩;邱先群;晋世博;王恒;吉敬华 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/14;H03K17/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器，包括驱动逻辑控制电路，短路故障检测电路、驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4。本发明通过集成4个驱动模块，分别控制碳化硅MOSFET不同时刻的栅极电压变化，实现了开通栅极电平变化方式、关断栅极电平变化方式、软关断栅极电平变化可配置，实现对碳化硅MOSFET导通沟道宽度的控制，减小了开通时刻出现短路故障的短路电流，提高了碳化硅MOSFET工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 栅极 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器，其特征在于，包括驱动逻辑控制电路，短路故障检测电路、驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4；/n所述驱动逻辑控制电路一端接收PWM驱动信号和输出驱动器工作状态，另一端分别和短路故障检测电路、驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4相连接。驱动逻辑控制电路根据PWM驱动信号和短路故障检测电路的信号控制驱驱动模块1、驱动模块2、驱动模块3、驱动模块4；/n所述短路故障检测电路还分别同碳化硅MOSFET以及驱动逻辑控制电路相连接，用于检测碳化硅MOSFET的短路和过流信号，并将短路或过流信号传递给驱动逻辑控制电路。/n
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- 吉田健太郎;日山一明 - 三菱电机株式会社
- 2017-02-28 - 2023-06-09 - H03K17/08
- 对由半导体开关元件刚关断后的米勒期间中的感测电压的上升产生的过电流保护电路的误动作进行抑制。半导体装置具备：半导体开关元件(12)；感测电阻(16)；过电流保护电路(104)，其基于感测电压是否超过阈值，输出用于对半导体开关元件(12)的接通驱动及断开驱动进行控制的控制信号；以及二极管(36)，其对感测电压进行钳位。过电流保护电路(104)在感测电压超过阈值的情况下，输出使半导体开关元件(12)进行断开驱动的信号作为控制信号。
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