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[发明专利]通态电压测量电路-CN202280014472.5在审
发明人：前田凌佑;木下雄介;中泽敏志 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明提高了通态电压的测量准确度。通态电压测量电路(1)配备有检测开关元件(2)、控制单元(3)、电阻元件(4)和电压检测单元(5)。控制单元(3)包括信号输出端子(31)和基准电位端子(32)，并且控制检测开关元件(2)。电阻元件(4)连接在检测开关元件(2)的源极端子(2S)与基准电位端子(32)之间。电阻元件(4)的电阻值大于检测开关元件(2)的通态电阻。控制单元(3)在半导体开关元件(9)接通时使检测开关元件(2)接通。电压检测单元(5)基于在半导体开关元件(9)和检测开关元件(2)这两者都接通时的电阻元件(4)两端的电压(V4)，来检测连接在检测开关元件(2)的漏极端子(2D)与基准电位端子2D之间的半导体开关元件(9)的通态电压。
电压测量电路

[发明专利]半导体装置-CN201880045120.X有效
发明人：施泓安;中泽敏志;鹤见直大;按田义治;渡部平司;志村考功;细井卓治;野崎干人;山田高宽 -专利权人：松下控股株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201180038572.3无效
发明人：鹤见直大;中泽敏志;梶谷亮;按田义治;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：被设于基板(101)上且由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层(102)；被设于缓冲层(102)上且由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层(103)；被设于第1半导体层(103)上且由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层(104)；被设于基板(101)的背面上且与接地连接的背面电极(111)；在第2半导体层104上被设置成相互分离开的源电极(132)及漏电极(134)；被设于第2半导体层(104)上的栅电极(136)；以及贯通第2半导体层(104)、第1半导体层(103)、及缓冲层(102)并至少抵达基板(101)且使源电极(132)与背面电极(111)电连接的插塞(109)。
半导体装置及其制造方法