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[发明专利]一种碳化硅MOSFET多电平驱动电路及其控制方法-CN202310765355.9在审
发明人：曾平;鲍伟;李凡;周德生;杜炤鑫;陆健;冯倩;毕闯;唐爱欢 -专利权人：国网上海市电力公司;电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET多电平驱动电路及其控制方法，电路包括碳化硅MOS管，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极连接，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极的连接处通过栅极电阻连接碳化硅MOS管的栅极；第一MOS管的漏极连接电源，第二MOS管的源极接地；第二MOS管两端并联有电阻和电容；电阻和电容的连接处连接正向输入端，正向电源端和反向输入端连接齐纳二极管的阳极，齐纳二极管的阴极连接电源，比较器的输出端连接第三MOS管的栅极；第三MOS管的漏极连接电源，第三MOS管的源极连接电阻的一端电阻和比较器的反向电源端之间连接有电容，电容两端并有电阻。与现有技术相比，本发明具有克服串扰效应等优点。
一种碳化硅 mosfet 电平驱动电路及其控制方法

[发明专利]带外置驱动电压控制的MOS管电路-CN202310920226.2在审
发明人：刘胜利 -专利权人：深圳市凌鑫电子有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种带外置驱动电压控制的MOS管电路，包括第一磁隔离电路和MOS管驱动电路，第一磁隔离电路包括第一磁隔离器，第一磁隔离器的第一信号输入端与第一输入控制信号连接，以将第一输入控制信号进行磁隔离输出；MOS管驱动电路包括逻辑驱动器，逻辑驱动器的信号输入端用于在第二输入控制信号和/或第一磁隔离器的第一隔离输出信号的作用下，输出高低电平逻辑驱动信号，以驱动充放电MOS管QC1的导通或截止。如此，通过第一磁隔离器可将控制器输出的第一输入控制信号隔离输出，相比传统的光电隔离大大降低系统功耗，加快了控制响应速度。且通过逻辑驱动器的输出信号为高低电平逻辑驱动信号。可实现对充放电MOS管QC1的导通或者截止的快速驱动控制。
外置驱动电压控制 mos 电路

[发明专利]集成电路、驱动电路及其操作方法-CN201910696580.5有效
发明人：蔡铭宪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：电路包括耦合到电源电压节点的保护电路，该电源电压节点被配置为具有电源电压电平，保护电路被配置为在电源电压电平等于或大于阈值电压电平时，生成具有第一逻辑电压电平的第一信号，并且在电源电压电平小于阈值电压电平时，生成具有第二逻辑电压电平的第一信号。栅极驱动器接收第一信号和第二信号，并且当第一信号具有第一逻辑电压电平时，基于第二信号输出第三信号，以及当第一信号具有第二逻辑电压电平时，输出具有第一或第二逻辑电压电平中预定的一个的第三信号。本发明的实施例还涉及集成电路、驱动电路及其操作方法。
集成电路驱动电路及其操作方法

[发明专利]半导体功率器件-CN202210279749.9在审
发明人：王鹏飞;袁愿林;刘磊;王睿 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种半导体功率器件，包括硅基功率MOSFET和反向二极管；所述硅基功率MOSFET包括源极、漏极、栅极、体二极管和截止二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述截止二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述截止二极管的阴极与所述源极连接；所述硅基功率MOSFET的源极与所述反向二极管的阳极连接，所述硅基功率MOSFET的漏极与所述反向二极管的阴极连接。本发明提供的半导体功率器件具有快速的反向恢复功能。
半导体功率器件

[发明专利]一种时钟电路-CN202010255345.7有效
发明人：曾夕;周璞;温建新;严慧婕;连夏梦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：本发明提供的一种时钟电路，包括振荡电路和上电复位电路，所述振荡电路包括连接的电流产生模块和环路振荡模块；所述电流产生模块，用于向所述环路振荡模块输出一控制电流；所述环路振荡模块，用于在所述控制电流的作用下输出一具有设定频率的振荡信号；以及所述上电复位电路与所述环路振荡模块连接，其用于在电源上电时提供使能控制信号。本发明通过将上电复位电路仅与环路振荡模块连接，使得在电源上电过程中，所述电流产生模块的所有节点随电源的上电逐渐建立，从而使得电流产生模块的电路建立时间包括在上电复位电路的使能控制信号释放的时间内，加快了振荡电路的建立时间。
一种时钟电路

[发明专利]一种数字初始化电路-CN201911370510.7有效
发明人：李林;叶崇光;刘永基;王利民;曾夕;李志芳;蒋宇;温建新 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明提供了一种数字初始化电路，包括第一寄存器；计数单元，具有当前存储值，用于接收时钟信号，并当时钟信号每经过一个周期时，将所述计数单元的当前存储值加一以得到一结果值，并利用所述结果值更新所述当前存储值；比较单元，用于将所述计数单元的当前存储值与一预定值进行比较；当所述比较单元确定出所述计数单元的当前存储值等于所述预定值时，所述计数单元对所述当前存储值清零以重新计数，同时所述第一寄存器开始输出初始化信号直至当所述比较单元再次确定出到所述计数单元的当前存储值等于所述预定值时，所述第一寄存器停止输出初始化信号。本发明所提供的数字初始化电路可以控制初始化时间，且抗干扰性较大。
一种数字初始化电路

[发明专利]片上电源开关的控制方法-CN202211642575.4在审
发明人：周祥标;仝传连;陈旭江 -专利权人：小华半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明提供一种片上电源开关的控制方法，所述方法包括：芯片的掉电模块设置N个电源开关链，各所述电源开关链包括M个电源开关，且各所述电源开关链打开i个所述电源开关后输出响应信号，其中，所述电源开关包括控制输入端和控制输出端；各所述电源开关链分别连接配置电路，并通过所述配置电路控制其开启；其中，N大于等于2，M大于等于1，i大于等于1小于等于M。通过本发明解决了现有的掉电模块上电时间响应慢的问题。
电源开关控制方法

[发明专利]一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质-CN202310947694.9在审
发明人：徐辉;叶志斌;林凡;方鹏程 -专利权人：武汉景捷半导体有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03K17/0412 文献下载
摘要：本发明提出了一种batfet的控制电路，数据选择器的输出端与比较器COMP_dischg的正极电性连接，比较器COMP_dischg的输出端与数据选择器的sel端和触发器PED电性连接，触发器PED与或门单元的A端电性连接，比较器COMP_syslow的输出端与或门单元的B端电性连接，或门单元的输出端与触发器RS的s端电性连接，比较器COMP_gatedet的输出端与触发器的r端电性连接，触发器RS的qb端与MOS管MP_help电性连接，MOS管MP_help与MOS管MN_Batfet电性连接，MOS管MN_Batfet与比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极电性连接，数据选择器的sel端还与比较器OTA的输出端电性连接，基准电压产生电路模块ref_gen与比较器COMP_syslow的正极、比较器COMP_gatedet的负极以及比较器OTA的正极电性连接，比较器OTA的输出端与比较器COMP_gatedet的正极电性连接。
一种 batfet 控制电路方法系统可读存储介质

[发明专利]一种具备MOSFET串联支路的固态切换开关-CN202310613264.3在审
发明人：邱方驰;陈晨;骆守康;叶枫舒;陈潇;彭毅;杨群;吴子君;董家睿;张宁 -专利权人：深圳供电局有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明提供一种具备MOSFET串联支路的固态切换开关，设置于主电源和备用电源之间的供电线路上，其由两个及以上的SSTS单元基本结构组成；每一个SSTS单元基本结构均包括一个并联快速开关以及由两个MOSFET场效应管和两个反并联体二极管形成的MOSFET串联支路；并联快速开关设置于供电线路上，其两端与MOSFET串联支路的两端进行并接；该MOSFET串联支路中，两个MOSFET场效应管的漏极与两个反并联体二极管的阴极分别相连后互连在一起，两个MOSFET场效应管的栅极与两个预设的工作电压源分别相连，两个MOSFET场效应管的源极与两个反并联体二极管的阳极分别相连之后并与并联快速开关的两端分别相连。实施本发明，能够降低关断持续时间及导通所需驱动功率。
一种具备 mosfet 串联支路固态切换开关

[发明专利]一种模拟开关电路及其开关控制方法和装置-CN201811235771.3有效
发明人：何永强;程剑涛;杜黎明;罗旭程;张艳萍 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本申请提供了一种模拟开关电路及其开关控制方法和装置，该电路包括NMOS管、控制开关、控制电流源、齐纳二极管、第一开关和第一电流源，且相互连接。其第一开关用于当控制开关被闭合时闭合，并在持续预设时长后断开。当控制开关闭合和第一开关闭合时，不仅控制电流源向栅极注入电流，第一电流源也同时向栅极注入电流，提高了栅极达到嵌位电压的速度，从而使该模拟开关电路的开启速度大为提高，从而能够使该模拟开关电路满足对开启时间有较高要求的应用场景。
一种模拟开关电路及其开关控制方法装置

[实用新型]一种充电加速关断电路-CN202320065486.1有效
发明人：池俊芸 -专利权人：惠州市佰铭诚电子有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子电路技术领域，具体公开了一种充电加速关断电路，所述电路包括：驱动开关模块、降压模块、加速关断模块和充电MOS模块；所述驱动开关模块包括第一开关单元、第二开关单元、第一二极管和第二二极管，所述第一开关单元连接第二开关单元，所述第二开关单元连接降压模块和第一二极管，所述第一二极管连接第二二极管和加速关断模块，所述第二二极管和加速关断模块均连接充电MOS模块；本实用新型通过降压模块输出稳定的驱动电源，并通过驱动开关模块驱动充电MOS模块的关断，在关断瞬间，加速关断模块能够达到快速关断充电MOS模块的目的，大大提升充电回路的安全性和可靠性。
一种充电加速断电

[发明专利]一种基于氮化镓工艺的高可靠高速电平移位电路-CN202310676953.9在审
发明人：郑逸飞;宋德源;李博宇;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氮化镓工艺的高可靠高速电平移位电路，包括电平转换模块、锁存模块、电压偏置模块、电流镜模块、加速上拉模块、抗dVSW/dt模块、输出级模块，可以克服传统氮化镓电平移位电路延时大和功耗高的问题。
一种基于氮化工艺可靠高速电平移位电路

[实用新型]一种GaN上电时序控制电路-CN202321262862.2有效
发明人：庞辉;张志军;王一谨;李庆;徐炜 -专利权人：西安思丹德信息技术有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN上电时序控制电路，负压生成电路包括第一负压芯片和第二负压芯片，第一负压芯片和第二负压芯片分别输出负压‑2.5V和‑5V，并且均开漏输出PowerGood信号，逻辑门电路包括两个逻辑非门和一个逻辑与门，第一负压芯片和第二负压芯片PowerGood信号输出端分别连接两个逻辑非门输入端，两个逻辑非门输出端均连接逻辑与门输入端；漏压开关电路包括NPN三极管和PMOS管，逻辑与门输出端连接NPN三极管的基极，发射极接地，集电极连接PMOS管的栅极和源极，PMOS管的漏极连接GaN功放的漏极。在功放模块调试过程不需要手动控制上电时序，满足GaN功放上电时序要求。
一种 gan 时序控制电路

[发明专利]一种电源开关控制电路和电器-CN202180031886.4在审
发明人：蒋伟 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种电源开关控制电路和电器。电源开关控制电路包括：开关模块、充放电模块和时间控制模块。开关模块的输入端接入输入电源信号；充放电模块的控制端接入开关控制信号，充放电模块的第一端接入输入电源信号，充放电模块的第二端接地，充放电模块的第三端与开关模块的控制端电连接；时间控制模块连接在充放电模块的第三端和第四端之间，作为充放电模块的第三端和第四端之间的辅助充放电路径，辅助充放电模块控制开关模块的控制端的充放电时间。本申请实施例可以实现电源上电时间和掉电时间的双向独立可调。
一种电源开关控制电路电器

[发明专利]基于电流源与电阻分段控制的IGBT驱动电路及方法-CN202310731322.2在审
发明人：诸建彬;牛作家;郭志军;胡林;王翠;章彧;曾瑄 -专利权人：南昌工程学院
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电流源与电阻分段控制的IGBT驱动电路及方法，用于控制IGBT的导通和关断。电感LE两端电压检测电路主要用于采集电感LE两端的电压，采集到的电压与所述的比较电路进行比较后，判断出IGBT的工作状态，所述的开通变电阻驱动电路、开通电流源驱动电路、关断变电阻驱动电路、关断电流源驱动电路接入IGBT驱动电路中对IGBT开通关断进行控制，从而使IGBT工作在相应的开关状态。本发明一方面可以减小IGBT的开通关断延时时间，降低电能损耗，另一方面可以降低开通关断过程中的电压电流尖峰，从而减小电气应力与EMI，而且结构简单，降低了系统硬件成本。
基于电流电阻分段控制 igbt 驱动电路方法

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