专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氮化镓高压器件-CN202310979776.1在审
  • 李茂林;施雯;杨参有;董志文;唐高飞;银发友 - 杭州云镓半导体科技有限公司
  • 2023-08-07 - 2023-09-05 - H03K17/10
  • 本发明涉及半导体器件领域,特别涉及一种氮化镓高压器件。包括:增强型GaN HEMT器件,衬底电压控制电路;其中,增强型GaN HEMT器件的栅极、漏极、源极分别为氮化镓高压器件的栅极、漏极、源极,增强型GaN HEMT器件的衬底与衬底电压控制电路的第一端电气连接。当氮化镓高压器件的栅极电压大于增强型GaN HEMT器件的阈值电压时,增强型GaN HEMT器件的衬底接地,降低增强型GaN HEMT器件的表面电场使得氮化镓高压器件的动态特性良好。当氮化镓高压器件的栅极电压小于阈值电压时,增强型GaN HEMT器件的衬底浮空,使得增强型GaN HEMT器件的衬底电压钳位将增强型GaN HEMT器件的衬底衬底电位钳位在某个高电压,提升关断状态下的击穿电压。
  • 一种氮化高压器件
  • [发明专利]一种15KV高压脉冲半导体开关-CN202310409844.0在审
  • 彭新俊;金善益;冯红波 - 上海凌世电磁技术有限公司;上海市计量测试技术研究院
  • 2023-04-17 - 2023-08-22 - H03K17/10
  • 本发明公开了一种15KV高压脉冲半导体开关,包括相互连接的输入模块、电源模块、控制模块、开关模块,所述输入模块包括接线端子CN1、用于滤波的去耦电容C11和去耦电容C12、用于组成RC低通滤波器的电阻R11和电容C15;所述CN1包括用于连接外部+5V电源正极的PIN_VCC、用于连接外部+5V电源负极的PIN_GND、用于外部脉冲信号输入的PIN_IN;所述电源模块包括用于将5V转±12V的DC/DC模块U1、用于滤波的旁路电容C13和去耦电容C14、用于提高瞬态响应的储能电容C16、用于稳压的稳压管W1和稳压管W2、输出电阻R14;所述控制模块包括光电耦合器U2、输出电阻R12、稳压管W3、负载电阻R13、NMOS管V1;本申请提出的一种15KV高压脉冲半导体开关高/低压部分隔离且耐压高。
  • 一种15kv高压脉冲半导体开关
  • [发明专利]一种栅极驱动电路-CN202310629816.X在审
  • 蔡莹;金锋;潘山山;朱宇彤 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-18 - H03K17/10
  • 本发明提供一种栅极驱动电路,包括芯片和外围电路;芯片上集成有高边驱动电路、低边驱动电路、高压隔离环、高压浮动盆、高压JFET以及LDMOS晶体管,高边驱动电路位于高压浮动盆内,低边驱动电路位于高压浮动盆外,高压浮动盆外围由高压隔离环包围;高压JFET集成在高压隔离环上,源端接LDMOS晶体管的漏端,LDMOS晶体管的栅极、源极、及衬底接VCC;外围电路包括由高边功率管和低边功率管组成的功率输出管;高边驱动电路和低边驱动电路分别对应控制高边功率管和低边功率管的栅极。本发明在高压隔离环上集成一高压JFET和一隔离型LDMOS,实现自举二极管的高耐压功能,解决了需外置高耐压二极管及集成高压JFET需控制电路的问题,极大简化了电路,提高了集成度,降低了成本。
  • 一种栅极驱动电路
  • [发明专利]开关设备-CN201880036030.4有效
  • C.C.戴维森 - 通用电器技术有限公司
  • 2018-06-01 - 2023-07-28 - H03K17/10
  • 提供有一种开关设备(30,130),所述开关设备(30,130)包括:第一节点和第二节点(32,34),所述第一节点和所述第二节点(32,34)可操作地能连接到线电压(44);第一开关分支和第二开关分支(38,40),所述第一开关分支和所述第二开关分支(38,40)并联连接在第一节点与第二节点(32,34)之间,第一开关分支(38)包括至少一个第一开关元件(46,60);以及第二开关分支(40)包括一对串联连接在第一节点与第二节点(32,34)之间的开关组合件,第二开关分支(40)还包括所述一对开关组合件之间的接合点(48),每个开关组合件包括至少一个第二开关元件(50),开关组合件中的至少一个还包括至少一个阻抗元件(52),其中开关设备(30,130)还包括分流阻抗(42)和第三节点(36),所述分流阻抗(42)布置成形成接合点(48)与第三节点(36)之间的永久电连接,第三节点(36)可操作地能连接到幅值上与线电压(44)不同的电压,所述或每个阻抗元件(52)布置在对应开关组合件中,以与分流阻抗(36)相组合,以便限定在对应第一或第二节点(32,34)与第三节点(36)之间延伸的电流路径。
  • 开关设备
  • [发明专利]DC功率开关组件和方法-CN201880006847.7有效
  • E·豪根 - 西门子能源有限责任公司
  • 2018-01-10 - 2023-07-07 - H03K17/10
  • 一种DC功率开关组件(22),包括多个串联连接的功率开关单元(21)。每个功率开关单元(21,45)包括该单元的第一端子(23)和该单元的第二端子(24),这些端子具有相同的极性。功率开关子单元(46,47)被电耦合在单元的第一端子与第二端子之间,以控制第一端子与第二端子之间的电流流动。子单元(46,47)包括至少一个半导体器件(Q1,Q2)、限流器(L1,L2)和与限流器并联的一对串联连接的二极管(D1,D11,D2,D21)。串联连接的二极管和限流器连接到半导体器件的一个端子;并且电容器(C1,C2)连接到半导体器件的另一端子。
  • dc功率开关组件方法
  • [发明专利]信号输出系统及电子设备-CN202211633468.5在审
  • 蓝焕青;杨必文;王欢;奉靖皓;王蕴洲;陈劲业;倪建兴 - 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-03-31 - H03K17/10
  • 本申请提出一种信号输出系统及电子设备,该信号输出系统包括信号输出模块和电荷泵模块,信号输出模块,用于根据预设控制信号输出对应的预设频率的时钟信号,预设控制信号与负载电路对应,不同负载电路对应的预设控制信号不同;电荷泵模块,用于根据所述预设频率的时钟信号输出对应的预设控制电压,以向对应的负载电路提供所述预设控制电压,预设控制电压与所述负载电路对应,不同负载电路对应的预设控制电压不同。本申请实施例中由于连接的各负载电路对应的预设控制信号不同,因此可以根据实际工作的负载电路相应调整预设控制信号,从而使得最终输出的预设控制电压满足负载电路的需求。
  • 信号输出系统电子设备
  • [实用新型]用于电池保护开关的半导体器件-CN202122373905.1有效
  • 请求不公布姓名 - 珠海迈巨微电子有限责任公司
  • 2021-09-28 - 2023-03-14 - H03K17/10
  • 本公开提供了一种用于电池保护开关的半导体器件,包括:第一元胞区,第一元胞区形成有第一MOS晶体管,第一MOS晶体管接收第一控制信号以使得第一MOS晶体管导通或关断;第二元胞区,第二元胞区形成有第二MOS晶体管,第二MOS晶体管接收第二控制信号以使得第二MOS晶体管导通或关断,第一元胞区与第二元胞区相邻地设置;以及第三元胞区,第三元胞区与第二元胞区相邻地设置,第三元胞区形成有开关,开关接收第三控制信号以进行以下控制:当第一MOS晶体管进行关断动作时,开关导通以使得第二MOS晶体管在第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在第一MOS晶体管关断的同时进行关断。
  • 用于电池保护开关半导体器件
  • [发明专利]控制方法及功率电路的封装结构-CN201810834426.5有效
  • 曾剑鸿 - 台达电子企业管理(上海)有限公司
  • 2013-12-16 - 2023-02-28 - H03K17/10
  • 一种控制方法及功率电路的封装结构在此揭露。控制方法应用于一准级联功率单元,该准级联功率单元包含一控制单元以及串联连接的一常通式开关及一常闭式开关,该控制单元电性耦接至该常通式开关及该常闭式开关,该控制方法包含:在一第一时段内,控制该常闭式开关关断及该常通式开关导通;在一第二时段内,控制该常闭式开关及该常通式开关关断;在一第三时段内,控制该常闭式开关导通及该常通式开关工作在一高频开关状态;在一第四时段内,控制该常闭式开关及该常通式开关关断;以及在一第五时段内,控制该常闭式开关关断及该常通式开关导通。
  • 控制方法功率电路封装结构
  • [发明专利]一种高线性度的射频开关电路、芯片及其电子设备-CN202210845163.4在审
  • 王峰;李艳丽 - 上海唯捷创芯电子技术有限公司
  • 2022-07-18 - 2022-11-25 - H03K17/10
  • 本发明公开了一种高线性度的射频开关电路、芯片及其电子设备。该射频开关电路由多级开关晶体管单元串联组成;其中,每个开关晶体管的栅极分别与其对应的栅极偏置电阻连接,漏极和源极分别与其对应的通路电阻连接;体极分别与其对应的体极偏置电阻连接;各级开关晶体管单元中的栅极偏置电阻和体极偏置电阻分别串联;各镜像电阻依次相互串联形成镜像电阻链;每个开关晶体管的体极分别与其对应的动态调整单元的中间接线端连接,动态调整单元的第一侧接线端和第二侧接线端分别跨接在镜像电阻链中所对称对应的至少一个串联电阻的两端。利用本发明,可以使射频开关电路的非线性问题得到改善,耐受功率和耐压能力得到提高。
  • 一种线性射频开关电路芯片及其电子设备

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